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0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39 0706LB低放和跳到損失巴倫電力變壓器，由不均衡線圈和中心的抽頭均衡線圈分為的均衡環，雙軌傳導工作效率，兩位方面配對。North Hills巴倫斯精密加工項目低放和回波損失。好的均衡是按照內心相交的構造來建立的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36 NH16447超寬頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫作為了自動測量電源線路特點至1.2GHz的簡略和可以直接的的辦法。超寬頻巴倫符合任意趨勢的特性阻抗，且為低讀取和回波消耗的資金完成了精密加工的設計。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41 North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫配電變壓器，正常用處1千赫茲- 125兆赫，由不取舍性電機定子和中間抽頭取舍性電機定子組成的取舍性環，雙軌傳送工作電壓，一個方向上輸入。北山巴倫斯高精度項目 低加入和回波損耗費。優勝的取舍性是順利通過重要軸對稱的構成來滿足的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48 L光波髙壓砷化鎵場不確定性納米線管AM010MH4-BI-R，HiFET是髙壓、高工率、高非線性和移動寬帶應用領域的地方配比發明權機器設置。該配件的總配件外部為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高工率微波通信應用領域而設計的，崗位幀率高達mg3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31 Sk線高增益控制高事情效率砷化鎵場效用單晶體管AM120MH2-BI-R，HIFET是位置適合的認證機 配置單，用以高電阻值、高事情效率和帶寬軟件。該元集成電路芯片二極管封裝的總元集成電路芯片二極管封裝內圍為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高事情效率紅外光軟件而構思的，事情率自由高達6GHz。BI系列的選用的特俗構思的陶瓷廠家二極管封裝，極具變形或蹭蹭蹭蹭的引線組裝原則。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07 L波長砷化鎵場相應硫化鋅管高直流電壓高額定熱效率和移動寬帶應用領域領域AM010MH2-BI-R，該元器的總元器外面為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高額定熱效率微波射頻應用領域領域而的設計方案的，工作中聲音頻率達到6GHz。BI型號分為一些獨特的設計方案的瓷器封裝類型，更具微彎或虛線的引線怎么安裝方試。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26 X中波段低低頻噪音增加器集成ic是低頻噪音因子很低的增加器。尋常用于分類無線數字電發收機的高頻率或中頻內置增加器，已經高敏感度光學探測器產品的增加電路設計。在增加較弱無線信號燈的領域，增加器自個的低頻噪音對無線信號燈的要素有機會太嚴重，因愿縮小到在這種低頻噪音，以增加效果的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02 C頻譜PCS信號塔民用航空光電子網絡通訊AM005MH2-BI-R。HIFET是部份配比的專利權設配運行環境，用來高交流電壓、高最大熱效率和帶寬操作。該元熱效率元器的總元熱效率元器外層為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高最大熱效率微波通信操作而設計的，運行平率高達mg6 GHz。它也是挺大最大熱效率元熱效率元器的良好控制器。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42 S波長rf頻射砷化鎵場相互作用作業效率管AM300MX-CU-R，這一個分的總閘門啟閉機高寬比為30mm。AM300 MX-CU-R是為高作業效率紅外光應用領域而來設計制作的，作業頻率可高達6GHz。Cu產品系列選擇那種特種來設計制作的陶瓷圖片打包打包封裝，極具挺直的引線和凸緣的裝置玩法。打包打包封裝底邊的活套法蘭而且有所作為交流電的接地裝置、rf頻射的接地裝置和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20 WLAN中繼器S光波高崗位效率微波加熱頻微波射頻射結晶體管AM200MX-CU-R，這1部門的總鑄鐵閘門：寬度為20mm。AM200 MX-CU-R是為高崗位效率微波加熱頻射應用領域而設汁的，崗位工作頻率自由高達6GHz。Cu系一種特殊性設汁的衛浴陶瓷封裝類型形式，享有切線式引線和凸緣按裝式。封裝類型形式邊側的蝶閥法蘭互相當做直流電源地線保護、頻射地線保護和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06 C頻譜VSAT砷化鎵場滯后效應電機電率管AM150MX-CU-R ，這三要素的總柵極長寬為15mm。AM150 MX-CU-R是為高電機電率徽波軟件應用而構思的，工作上頻繁 多達6GHz。Cu系統是種特種構思的衛浴陶瓷二極管封裝，兼具直線方程式引線和凸緣使用式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06 Lk線Sk線大最大馬力砷化鎵最大馬力場反應硫化鋅管AM100MX-CU-R，這十地方的總柵極厚度為10mm。AM100MX-CU-R是為高最大馬力微波通信廣泛應用而開發方案的，任務頻率更是高達6GHz。Cu系統是一種種獨特開發方案的陶瓷廠家芯片封裝類型，具備水平線式引線和凸緣裝式。芯片封裝類型上端的活套法蘭直接用于交流電接地線保護、微波射頻接地線保護和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17 Pk線高工作輸出紅外光加熱運用砷化鎵MESFET集成電路芯片AM072MX-CU-R，這個分有條個切實的調查7.2mm門的厚度。在AM072MX-CU-R是自己設定的于高工作輸出紅外光加熱運用，實操到6GHz。調查銅系例的圖片，是在一家自己設定的瓷器包裝與直導和Cu / W的蓋在一家下拉的布置玩法。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21 L頻譜S頻譜高工率徽波應用設汁rf射頻多晶體管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32 C光波S光波rf射頻晶胞管AM036MX-QG-R，這一個分的總柵極厚度為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高工率微波加熱用途而開發的，操作平率高達到6GHz。

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18 L中k線S中k線rfrf射頻單晶體管增加器AM024MX-QG-R ，這那一些的總柵極參數為2.4mm。AM024MX-QG-R是為高額定功率微波通信選用而結構設計的，運行的頻率萬代高達6GHz。QG系類就是一個塑料件封口，很多引腳彎折的外表重新安裝畫風的PC板。封口的底下時最為直流電源跨接、rfrf射頻跨接和熱路。

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48 S頻譜P頻譜結晶管AM012MX-QG-R，這有個部分的總柵極橫向為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高輸出功率微波頻射選用而規劃的，事情頻率高達模型6GHz。QG編有的是個金屬芯片封裝形式，一切引腳微彎的表面能安轉風格特征的PC板。芯片封裝形式的下方并且看做電流一定接地系統、頻射一定接地系統和熱路。

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11 L中股票波段S中股票波段rf頻射晶胞管AM006MX-QG-R，這一部電影分的總柵極間距為0.6mm。AM9006MX-QG-R是為高最大功率徽波應該用而設汁的，作業頻帶寬度可以達到6GHz。QG編是一個個泡沫塑料封裝，所有的引腳曲折的接觸面按照風格圖片的PC板。封裝的底同樣作直流變壓器的一定接地、rf頻射的一定接地和熱路。

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R

2018-11-01 16:06:54 Ku股票波段rf射頻硫化鋅管增加器AM005WN-00-R，其總柵極參數為0.5mm。也是一兩個裸模，需要行駛到18千兆赫。它需要具備常見的飽和馬力為33.4 dBm。它能夠用于低躁聲、高動態展示時間范圍的傳輸機和高馬力火箭發射機的變頻器器。整部件是完全符合RoHS標準規定的。

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R

2018-11-01 16:01:32 X股票光波Ku股票光波rf射頻結晶體管AM012WN-00-R，

S波段X波段Ku波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290

2018-11-01 08:55:59 S波長C波長X波長Ku波長K波長勻稱式低燥音拖動器集成塊CMD290，2-26 GHz（S，C，X，Ku，K波長）GaN低燥音拖動器MMIC，。該聯通寬帶元件至關可以需求低燥音彈性因子效果和高搜索額定功率繁衍意識的應用。CMD290具備12.5 dB的增益控制，一定的燥音彈性因子為2.3 dB，13 GHz時的轉換1 dB解壓縮點為+19 dBm。

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片

2018-11-01 08:50:48 低燥音縮放器CMD163攻沙K股票波段低燥音縮放器電子電子器件，也是款高動態化范圍圖GaAs MMIC低燥音縮放器，越來越于于攻沙，三維空間和安全可靠軟件，在這其中小長度和高直線度是關鍵點設計方案想要。該電子器件對應21 GHz展開了提高，可供應多于24 dB的收獲，相同的模擬輸出1 dB文件壓縮點為+19 dBm，燥音比率為1.3 dB。

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R

2018-10-31 16:40:41 C頻譜VSAT微波射頻納米線管AM025WN-00-R，其總柵極高度為2.5mm（兩個人1.25mm的FET串聯）。是個裸模，還可以啟動到15千兆赫。它還可以給出明顯的飽和點耗油率為40.5 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R

2018-10-31 16:26:13 X光波Ku光波rf射頻硫化鋅管AM100WN-00-R，其總柵極高寬比為10mm（十個1.25mm的FET串聯）。這才是的裸模，可能啟用到15千兆赫。它可能打造關鍵的飽和點工作功率為46.1 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R

2018-10-31 16:20:35 X股票波長Ku股票波長微波射頻結晶管AM050WN-00-R，

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R

2018-10-31 16:06:12 X頻譜rf頻射單尖晶石管C頻譜rf頻射單尖晶石管AM005WN-BI-R，其總柵極厚度為0.5mm。它在工業陶瓷圖片封裝中工作電動車續航12 GHz。BI系類運行個性化制定的工業陶瓷圖片封裝，具彎折（Bi-G）或直（BI）引線的使用的方法。封裝底端的法蘭部一同用于整流接地保護極、rf頻射接地保護極和熱路。

X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R

2018-10-31 15:54:34 X波長頻射氯化鈉晶體管AM012WN-BI-R，是一種個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極寬為1.25mm。它是在工業瓷質BI芯片二極管封裝類型，運行到達10千兆赫。BI類別運行特殊化設置的工業瓷質芯片二極管封裝類型，兼備可以彎曲的（Bi-G）或直（BI）引線的使用方式方法。芯片二極管封裝類型邊側的法蘭盤并且是電流接地線線、頻射接地線線和熱路。

C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R

2018-10-31 15:42:33 C股票股票波段微波頻射納米線管S股票股票波段微波頻射納米線管AM025WN-BI-R，不是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極橫向為2.5mm。它在瓷磚芯片封裝中運轉可達到8 GHz。BI產品系列運行特別的開發的瓷磚芯片封裝，都具有拉伸（Bi-G）或直（BI）引線的裝有行為。芯片封裝底下的法蘭部而且充當交流電等電位連接裝置、微波頻射等電位連接裝置和熱路。

P波段L波段高功率微波應用AM100WN-CU-R

2018-10-31 15:35:42 P股票中波段L股票中波段高工率微波微波射頻加熱應該用AM100WN-CU-R，這樣的一些的總柵極參數為10mm毫米。AM100WN-CU-R是針對性為高工率微波微波射頻加熱應該用定制制作的，工作上幾率能夠達到6GHz。CU型號是針對性定制制作的瓷磚打包裝封，擁有直引線和插裝式法蘭部部。打包裝封底下的法蘭部部而且算作電流的接地裝置、微波射頻的接地裝置和熱路。這

S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封裝GaN功率HEMT DC-6GHz

2018-10-31 15:31:39 S頻譜C頻譜AM050WN-CU-R衛浴陶瓷廠家裝封GaN耗油率HEMT DC-6GHz，整個這部分的總柵極長寬是5mm。AM050WN-CU-R是為高耗油率微波加熱技術應用而制作構思的，工作任務率達到6GHz。CU系列表是專制作構思的衛浴陶瓷廠家裝封，包括直引線和下地式活套法蘭片。裝封底端的活套法蘭片直接看做直流變壓器接地線保護、rf射頻接地線保護和熱路。