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描述
AMCOM的AM120 MH2-Bi-R是GaAs HIFET雙國產的一個分。HIFET是位置配對的專利權機 調試，使用于高電流電壓、高額定事情電壓和移動寬帶用途。該電子元件的總電子元件外邊為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高額定事情電壓微波通信用途而設置的，事情工作頻率高達hg6GHz。BI國產利用有一種異常設置的瓷磚封口，享有變形或美的引線安裝程序行為。封口尾部的蝶閥法蘭一同成為整流保護地線、頻射保護地線和熱路。這點HiFET是契合RoHS規范的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM120MH2-BI-R	1周	80

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特征
14伏
高達6 GHz的高頻操作
高增益：g= 14dB@ 2GHz
高功率：P1dB＝39 dBm @ 2GHz
高線性度：IP3＝49 dBm @ 2GHz
適用于有效地蒸發器的瓷磚芯片封裝

應用
寬帶應用
高電壓10～14V
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和HyLLA
航空電子通信