欧美一二区-欧美亚洲一区-欧美激情一区-欧洲一区二区

描述
AMCOM的AM012WN-Bi-R就是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極大小為1.25mm。它是在瓷器BI封裝，實用高達mg10千兆赫。BI編實用特色定制的瓷器封裝，具備著可以彎曲的（Bi-G）或直（BI）引線的使用辦法。封裝側面的法蘭部與此同時有所作為直流電壓等電位連接、頻射等電位連接和熱路。這不分是包含RoHS標的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM012WN-BI-R	1周	50

如若您需要購買AM012WN-BI-R，請點擊右側客服聯系我們！！！

特征
高達10 GHz的高頻操作
增益＝17dB，p5dB＝37 dBm，PAE＝51%，漏＝55% @ 2.8 GHz。
表面貼裝
很好散熱器的上端

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機