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描述
AMCOM的AM025WN-Bi-R是一種個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極大小為2.5mm。它在瓷器封口中運營led光通量8 GHz。BI系例采用比較特殊設計的概念的瓷器封口，包括彎折變形（Bi-G）或直（BI）引線的連接策略。封口頂端的活套法蘭同樣對于交流電的接地系統、頻射的接地系統和熱路。這臺分是達到RoHS條件的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM025WN-BI-R	1周	50

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特征
高達8 GHz的高頻操作
增益＝16 dB，p5dB＝40 dBm，PAE＝52%，漏極＝56% @ 3 GHz。
表面貼裝
行之有效熱量散發的底邊

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機