L中波段砷化鎵場效果晶胞管高電流電壓高工作功率和聯通寬帶利用AM010MH2-BI-R
發表時:2018-11-05 15:17:07 瀏覽訪問:1749
描述
AMCOM的AM010MH2-Bi-R是GaAs HIFET雙系列的一部分。HIFET是部分匹配的專利設備配置,用于高電壓、高功率和寬帶應用。該器件的總器件外圍為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高功率微波應用而設計的,工作頻率高達6GHz。BI系列采用一種特殊設計的陶瓷封裝,具有彎曲或直線的引線安裝方式。這個封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。這個HiFET是符合RoHS標準的。
品牌
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型號
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貨期
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庫存
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AMCOM
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AM010MH2-BI-R
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1周
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100
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特征
14伏排水拜厄斯
寬帶部分匹配:直流-2.4GHz
高達6 GHz的高頻操作
高增益:g= 15dB @ 3.5GHz
高功率:P1dB=28 dBm @ 3.5GHz
高線性度:IP3=43dBm @ 3.5GHz
采用效果散熱器的陶瓷制品封口
應用
寬帶應用
高電壓10~14V
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信