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射頻微波芯片性能高速信號測試座
rf射頻紅外光存儲芯片特點高速路數據試驗座能夠的頻率數字信號 >94GHz 更換封裝BGA、QFN、LGA更換引腳線距 0.35~1.27mm便捷完工強烈推薦操作如ATE設施設備進貨階段1-2周
高速信號彈針芯片測試座
低數據信息衰減,不支持數據信息平率起到40GHz 認可0.3mm的BGA/ QFN跨距,存儲芯片每邊1~55mm認可測量的溫度-35~125°C 備貨2-3周
側孔式芯片高速BGA測試座
低信號損耗94GHz時為-1dB支持打包封裝 BGA、QFP采用大數據數率50Gbps可塑性體間隙矩陣的特征值0.02mm幫助檢查溫度-55C至+160°C支技引腳瞬時電流 5A訂貨 4-6周
低信號損耗94GHz時為-1dB
訂貨 4-6周
熱增強型高性能QFN QFP35芯片測試座
兼容QFN、QFP、DFN和SOIC都可以于開拓、認可、飛速受損、小自動研發工貝支付寶冷沖壓接線柱,極快的信號路線去耦區域,支持在近元元件封裝位址安放無源元元件封裝適于很多兼容接地極極接觸點,可調低接地極極電感可更加好觸點開關組訂貨(huo)周期 : 4-6周
訂貨(huo)周期 : 4-6周