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動用體現了單獨柵極偏置設定的多處理機系統晶胞管的GaN HEMT拖動器的曲線減弱

發布了時間間隔：2018-05-04 13:53:07     挑選：9182

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：操作有獨立的柵極偏置設定的串連單晶體管的GaN HEMT變大器的曲線資料。 GaN HEMT有較高的傳輸電機馬力密度計算公式和較寬的上行速率熱效率。是，GaN HEMT的線型先進典型地比GaAs集成電路芯片的線型更差。選文說出一種簡約的手段來提升GaN HEMT的線型度。所說出的手段是將集成電路芯片拆成與自立控住的柵極偏置電流值串連的幾個子單元，那么將電機馬力合并且為子單元傳輸。類似的變大器..
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