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我們都計劃書新一個超效能指標的GaN MMIC打印輸出的縮放器事情在40MHz到400MHz左右。你這類確保了80W單脈沖激光（100US單脈沖激光：寬度和10%占空比）MMIC重復）打印輸出的打印輸出的（P5dB），40MHz，50W有錯誤率為54%較為基本比較便宜30%的有錯誤率在大有些的其中中波段，甚至在400MHz時，有錯誤率漸漸的減低到30W，有錯誤率為22%。40-400MHz頻段的打印輸出的增加收益為25dB。你這類超長帶效能指標是用的裁剪方法機械來確保了的。打印輸出的輸出阻抗，并用獨有的聯通網絡帶寬線路定制一致拓補學。2種機械的簡要定制科技并提出一致線路定制。指數值條款內容-聯通網絡帶寬縮放器，高相電壓科技，微波射頻配件，GaN MMIC PA.

一、引言
寬帶、大功率、高效率放大器是關鍵高級通信系統中的元素，如搜索和救援消防員、警察和海岸用軟件無線電警衛。實現寬帶的傳統技術放大是利用行波（TW）方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路進行變換。該設備的輸入阻抗和輸出阻抗達到50歐姆（3）。這個TW技術使用多個裝置模擬50歐姆。傳輸線實現寬帶寬。寬頻帶匹配方法具有尺寸小的優點。然而，如果大功率器件的輸出阻抗相差很大從50歐姆，這種方法的輸出匹配電路遭受大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器輸出。權力與效率。本文將FET串聯堆疊技術應用于最大化功率從PA [4-9]。還有大小功率級器件優化綜合最優
輸出阻抗接近50歐姆。這種方法使相對輸出阻抗匹配電路的設計，導致匹配電路中的低射頻損耗，導致高輸出功率寬帶高性能功率增加效率。
二。GaN單片集成電路設計
獲得超過20dB的功率增益，這是一個標稱規格在許多應用中，兩階段配置與基于TrimQuin的0.25m選擇級間匹配GaN HEMT工藝。圖1示出50W單片集成電路的照片。第一級器件尺寸為2.4mm，分為兩個1.2mm的路徑。第二級器件尺寸為16.8mm。
四，3系列1.4毫米HEMT組成。3x1.4mmHIFET裝置是DC和RF的三個1.4mm單位單元。
編（圖2）。直流變壓器偏置的電壓和微波射頻輸入電阻值一些HIFET都有1.4mm計量廠家電池箱的四倍。配置，有點是在超低頻高壓發生器段。利用適當的的考慮計量廠家象限式設施的設備的面積和象限式象限式設施的設備的數據編，自己需要推廣HIFET輸入電阻值為表示50歐姆，以推動寬帶網功能。