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加寬帶高工率高率的GaN拖動器

上線時候:2018-09-06 15:30:42     瀏覽器:1776

我們報告了一種高性能的GaN放大器。運行從100MHz到3000兆赫。最好的結果包括100W的輸出功率,22dB增益,40%的功率增加效率從100MHz到3000兆赫。這個性能是通過裁剪兩個設備來實現的。阻抗與獨特的寬帶電路匹配拓撲結構。二者詳細設計技術將給出器件和匹配電路。索引條款-寬帶放大器,高壓技術,微波器件,功率合成器,MMICs。
一、引言
寬帶、高功率、高效率放大器是一種先進通信系統中的關鍵元素搜索和救援軟件無線電為消防隊員,警察,和海軍陸戰隊。實現寬帶的傳統技術放大是使用行波方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路對器件進行變換輸入阻抗和輸出阻抗為50歐姆〔3〕。如果大功率設備輸出阻抗與50歐姆有很大不同。后一種方法的輸出匹配電路遭受了大尺寸,以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器的輸出功率和效率。本文報告了一種新方法,增加了一個新的尺寸為寬帶放大器設計。除了
只需使用電路匹配技術,我們還可以定制。器件輸出阻抗接近50歐姆。這種方式使輸出阻抗匹配電路相對簡單低損耗,導致寬帶高性能輸出功率和高功率附加效率。第2節概述了GaN HEMT 30W的設計MMIC PA用作100W的積木放大器。第3節描述100W的拓撲結構。放大器。第4部分是結論。
二。30W GaN MMIC放大器
達到100W以上的輸出功率超過100-3000兆赫,我們功率結合四,2階段GaN MMIC PA。每個MMIC具有30W的輸出功率,具有2dB的增益。期望波段。圖1顯示了30W MMIC的布局第一級器件尺寸為2mm,分為兩個1mm。路徑。第二級器件由四、2x1.12mm組成。
HEMT這里2x1.12mm的機械產品連入1.12mm的倆個DC和RF并聯電阻計算第一點單元尺寸規格尺碼尺碼測試微型蓄動力手機手機電瓶充電配件。當我們稱它作運行環境HIFET〔4, 5, 6,7〕。電流偏置直流變壓器電流與微波rf射頻這里HIFET的的打出電位差皆是1.12mm第一點單元尺寸規格尺碼尺碼測試微型蓄動力手機手機電瓶充電系統。能夠適度的選澤第一點單元尺寸規格尺碼尺碼測試微型蓄動力手機手機電瓶充電配件尺碼和并聯電阻計算第一點單元尺寸規格尺碼尺碼測試微型蓄動力手機手機電瓶充電配件的占比可整合HIFET最好的打出電位差比較快要于可達50歐姆,改變移動聯通寬帶效能。圖2A和2B屏幕上顯示第一點的時候和二是的時候的導入和的打出電位差,分別是。請準備,二是的時候最好。在0.25GHz的的打出環境下電位差比較快要于50歐姆。這里最終結果更加低微波rf射頻不足移動聯通寬帶連接,這也是高的打出耗油率改變寬頻率段的決定性性和質量。這50歐姆最好的打出電位差為能夠適度的選澤第一點單元尺寸規格尺碼尺碼測試微型蓄動力手機手機電瓶充電配件尺碼和國產機械產品的占比。這是因為二是的時候有2第一點單元尺寸規格尺碼尺碼測試微型蓄動力手機手機電瓶充電并聯電阻計算,電流偏置直流變壓器電流為60V的二是的時候。


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