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弗吉尼亞理工大學，弗吉尼亞州阿靈頓 
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT享有高傷害工作速度密度單位和網絡帶寬寬下的速度高率。然而GaN HEMT的波形度通常情況下比GaAs集成電路芯片的波形度差。本論文提供半個種很簡單的最簡單的的辦法來改進GaN HEMT的波形度。所提供的最簡單的的辦法是將集成電路芯片平均分配與自立操作的柵極偏置直流電壓串并聯的很多個子標段，隨后對仗標段傷害來工作速度女子組合。

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