高出40-4000MHz的高瓦數圖像電壓放大器GaN MMIC PA
公布的準確時間:2018-05-21 09:20:04 打開網頁:2731
大家傾述其中一個高耐熱性的GaN MMIC效果傷害調小器從40兆赫到4000兆赫。那MMIC滿足80 W電磁(100美電磁總寬和10%的關稅稅率循壞)效果功(P5dB),在40兆赫,50 W,有效果為54%在中環的大部門空間區域,有效果約為30%慢慢的可以減少到30 W,在4000兆赫時有效果為22%。在40-4000mhz的頻寬上,效果傷害增益控制是2五分貝。這些超wideband的耐熱性是憑借打版設備來變現的效果阻抗匹配好,動用擁有的移動寬帶,電源線路匹配好拓補。
寬帶、高功率、高效率的放大器是先進通信系統的關鍵組成部分,如為消防員、警察和海岸警衛隊提供的搜索和救援軟件無線電。
實現寬帶放大的傳統技術是使用移動波(TW)方法1、2,或者設計寬帶匹配電路,將設備輸入和輸出阻抗轉換為50歐姆。
TW技術使用多種設備來模擬50歐姆的傳輸線路,以獲得廣泛的帶寬。
寬帶匹配方法具有小尺寸的優點。
但是,如果大功率器件輸出阻抗與50歐姆相差很大,該方法的輸出匹配電路具有較大的尺寸,以及高頻損耗。
這種高射頻損耗嚴重降低了放大器的輸出功率和效率。
摘要本文應用疊加場場的技術,最大限度地提高了PA 4-9的功率。
此外,功率級設備的尺寸也被優化,以合成一個接近50歐姆的最佳輸出阻抗。
該方法使輸出阻抗匹配電路的設計相對簡單,并在匹配電路中產生低射頻損耗,從而實現了高輸出功率和高功率效率的寬帶性能。
為了達到20分貝以上的功率增益,這在許多應用中都是一個標稱規格,根據Triquint的0。25萬根的過程,選擇了一種具有跨階段匹配的兩階段配置。
圖1顯示了50 W MMIC PA的照片。
第一階段的設備尺寸是2.4毫米,分裂成2。2毫米的路徑。
第二階段的設備尺寸是16.8毫米,由4個、3個系列的1.4毫米HEMT組成。
3x1.4毫米的HiFET器件是3。4毫米的單元單元格,在系列中(圖2)。這個HiFET的直流偏置電壓和射頻輸出阻抗是1.4 mm單元格設備的三倍,特別是在低頻。
通過對單元單元設備大小的適當選擇,以及串聯單元單元設備的數量,我們可以優化HIFET輸出阻抗,使其接近50歐姆,從而達到寬帶性能。