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JP503AS低剖面,高能3dB分層藕合器原廠庫存量

發布的時光:2020-04-01 08:51:37     預覽:1777

JP503AS是一個低剖面,高性能的3dB混合耦合器在一個易于使用,制造友好的表面安裝包。它是為W-CDMA和其他3G應用而設計的。JP503AS是為平衡放大器、可變移相器和衰減器、低噪聲放大器、信號分配而設計的,是無線工業日益增長的小型印刷電路板和高性能需求的理想解決方案。零件經過嚴格的鑒定測試,并使用熱膨脹系數(CTE)與常見基板(如FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺)兼容的材料制造。采用6/6符合RoHS標準的浸錫處理。

JP503AS低剖面,高性能3dB混合耦合器原裝庫存

JP503AS特殊性:

2.0–2.3千兆赫。

3G幾率

低損失

高隔離霜度

90°正交

外觀貼裝

磁帶和卷盤

無鉛

100%測試英文

JP503AS為重要參數表

規律(GHZ):2.0 - 2.3

最大功率(W):25

回波耗損率(dB):20.8

加入消耗(dB):0.30

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