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Anritsu 陽頭法蘭盤接頭V103M-R

2018-11-08 11:25:20 V103-R 可與 V100 手串或 V100B 隔絕式手串緊湊聯系。nritsu 出具了 V110-1 微帶Q彈觸片 （也分為"向下觸體"）， 該觸體格夠在引發的溫度的變化、摩擦或振動幅度大時對連到出具養護。 該主要參數的觸體適合于跡線大小為 0.15 毫米左右的微帶和共空間圖形波導。

雷達射頻晶體管AM005WX-BI-R

2018-11-07 11:44:16 統計頻射單晶體管AM005WX-BI-R，其總柵極長度為0.5mm。它是在工業陶瓷制品BI裝封形式，加載高達模型12千兆赫。BI題材采用特出方案的工業陶瓷制品裝封形式，有彎折變形（Bi-G）或直（BI）引線的裝設的方式。裝封形式低部的法蘭片另外用作直流電源保護地線、頻射保護地線和熱路。一區域是具備RoHS標淮的。

C波段VSAT高功率寬帶應用AM032MH4-BI-R

2018-11-07 11:36:48 Ck線VSAT高電率聯通寬帶網絡適用AM032MH4-BI-R，HIFET是有些識別的專屬機械設備設置，于高的電壓、高電率和聯通寬帶網絡適用。該電子元器件芯片封裝的總電子元器件芯片封裝外邊為128mm。AM032 MH4-Bi-R是為高電率微波加熱適用而設汁的，本職工作頻率高達mg6GHz。BI類型用于一項特別設汁的陶瓷廠家芯片封裝，包括回彎或垂直線的引線和凸緣組裝方試。

S波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM030MH4-BI-R

2018-11-07 11:32:45 S波長超高壓砷化鎵場現象單晶體管AM030MH4-BI-R ，HIFET是一部分自動匹配的認證機械設備設置的高額定電壓，高額定功率，高線性網絡度和網絡帶寬選用。該集成電路芯片的總集成電路芯片周邊為12mm。

0319NA寬帶變壓器North Hills

2018-11-06 11:44:56 North Hills的0319NA帶寬網絡電力電抗器，NA類別的帶寬網絡電力電抗器包裹了0.1至300 MHz的率規模內的各式控制pcb電路板調試。pp塑料再生設汁適用于加上印上控制pcb電路板板。*North Hills適用參考文獻標注151-“帶寬網絡電力電抗器”提供數據了有關巴倫電力電抗器風格的進第一步資訊。

0320BF/0322BF共模注入口BF系列平衡信號變換器 North Hills

2018-11-06 11:12:41 0320BF/0322BF共模引入口BF款型均衡性性訊號放大器，這段干式電力變壓器在0.1到100MHz的概率比率內出示了層面均衡性性的橫縱訊號源。在各種前提下，均衡性性指的是同一個腿比于地面上的相電壓問題。BF款型干式電力變壓器包括內部自帶共模訊號引入用電線路，為衡量均衡性性或UTP裝置對低頻噪音和串擾的易各樣出示了抱負的途徑。

0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39 0706LB低復制到和載入耗費巴倫配電變壓器，由不穩定平穩線圈和服務中心抽頭穩定平穩線圈成分的穩定平穩環，交叉傳達著瓦數，多個目標方向自動匹配。North Hills巴倫斯精密機械建筑工程低復制到和回波耗費。領先的穩定平穩是能夠內心軸對稱的結構的來改變的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36 NH16447過高頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫打造了測量線路基本特征至1.2GHz的簡略和會的措施。過高頻巴倫識別某個定位的電阻值，有時候為低添加圖片和回波耗率進行了精細設置。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41 North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫電抗器，普遍應用1千赫茲- 125兆赫，由不穩定性繞阻和平臺抽頭穩定性繞阻組成部分的穩定性環，雙線傳播電機功率，兩根位置一致。北山巴倫斯精密五金工程建筑低加入和回波損失。優秀的穩定性是根據內化對應點的組成來實現了的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48 L股票波段高壓力變壓器砷化鎵場相應納米線管AM010MH4-BI-R，HiFET是高壓力變壓器、高電效率、高線形和移動寬帶軟件應用的的部分篩選專屬專用設備配制。該器材的總器材外場為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高電效率微波射頻軟件應用而方案的，運行頻段更是高達3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31 S中波段高增益控制高額定輸出電功率砷化鎵場定律結晶管AM120MH2-BI-R，HIFET是位置配比的申請儀器選配，主要用于高直流電壓、高額定輸出電功率和帶寬軟件軟件應用。該配件的總配件外面為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高額定輸出電功率微波射頻軟件軟件應用而制作的，事業次數自由高達6GHz。BI系統主要采用一個特出制作的淘瓷封裝形式，具備屈曲或垂直線的引線裝置的方式。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07 Lk線砷化鎵場反應結晶體管高電阻值高電公率和聯通寬帶運用領域AM010MH2-BI-R，該電子元件的總電子元件周邊為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高電公率微波加熱運用領域而制作的的，業務頻段多達6GHz。BI全系列分為一種生活非常規制作的的瓷磚封口，有彎折變形或漸近線的引線配置習慣。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26 X中波段低嘈音圖像功率增加器基帶芯片是嘈音公式很低的圖像功率增加器。一半用在常見無線wifi電發收機的中頻或中頻前置條件圖像功率增加器，或者高準確度度電子探測系統生產設備的圖像增加三極管。在圖像增加較弱衛星移動信號的公開場合，圖像功率增加器在工作中的嘈音對衛星移動信號的干預會太嚴重，那么愿縮小這般嘈音，以挺高傷害的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02 C頻譜PCS基站天線中國航空電子無線電力AM005MH2-BI-R。HIFET是那部分相匹配的發明專利機械設備顯卡配置，于高直流電壓、高電機公率和寬帶網絡軟件操作。該器材的總器材內圍為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高電機公率徽波軟件操作而設計的的，工做規律萬代高達6 GHz。它也是更具電機公率器材的理想化驅程器。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42 S波長頻射砷化鎵場邊際效應電機電機功率管AM300MX-CU-R，這十位置的總平板閘門長度為30mm。AM300 MX-CU-R是為高電機電機功率微波加熱運用而設置制作的，事業規律高達到6GHz。Cu型號按照種非常規設置制作的瓷器二極管封口，極具直坐的引線和凸緣的裝置的方式。二極管封口底端的法蘭部同樣最為直流變壓器與地面、頻射與地面和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20 WLAN中繼器S中波段高功效紅外光紅外光rf射頻晶狀體管AM200MX-CU-R，這一步分的總平板閘門間距為20mm。AM200 MX-CU-R是為高功效紅外光選用而的設計構思的，工作任務聲音頻率敢達6GHz。Cu系列作品就是種特俗的設計構思的淘瓷封裝類型類型，兼有漸漸式引線和凸緣安轉式。封裝類型類型底端的法蘭片時為直流變壓器的接地極、紅外光rf射頻的接地極和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06 Ck線VSAT砷化鎵場現象公率管AM150MX-CU-R ，這一款分的總柵極凈寬為15mm。AM150 MX-CU-R是為高公率徽波應用軟件而規劃的，運行率高達到6GHz。Cu編就是一種獨特規劃的陶瓷廠家封裝類型，具備著垂直式引線和凸緣配置式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06 L頻譜S頻譜大熱效率砷化鎵熱效率場因素結晶管AM100MX-CU-R，這那那部分的總柵極長度為10mm。AM100MX-CU-R是為高熱效率微波加熱適用而開發的，本職工作頻次自由高達6GHz。Cu品類是一種種非常規開發的瓷器裝封，極具條直線式引線和凸緣連接式。裝封下端的法蘭部時最為直流變壓器接地裝置線、頻射接地裝置線和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17 P頻譜高耗油率紅外光運用砷化鎵MESFET配件AM072MX-CU-R，這本分有條個多方面的探析7.2mm門的橫向。在AM072MX-CU-R是自己方案的用來高耗油率紅外光運用，作業到6GHz。探析銅一系列的美圖照片，是在兩個自己方案的衛浴陶瓷標簽印刷與直導和Cu / W的蓋在兩個下拉的裝的方法。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21 L光波S光波高熱效率徽波用途的設計微波射頻多晶體管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32 C中頻譜S中頻譜頻射尖晶石管AM036MX-QG-R，這十局部的總柵極高度為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高工率微波射頻操作而設汁的，工做頻段敢達6GHz。

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18 L光波S光波頻射晶狀體管調大器AM024MX-QG-R ，這十一些的總柵極參數為2.4mm。AM024MX-QG-R是為高上班功率微波rf射頻應用而規劃的，上班速度高達到6GHz。QG題材是一種個塑料制品封口形式，全部的引腳屈曲的接觸面使用格調的PC板。封口形式的底層同一當作直流電源保護接地裝置、頻射保護接地裝置和熱路。

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48 S光波P光波晶狀體管AM012MX-QG-R，這一臺分的總柵極總寬為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高工率微波通信軟件應用而設計構思的，工作上的頻率達到了6GHz。QG系例都是個PVC封口，各種引腳變形的面使用風格特征的PC板。封口的尾部此外最為交流電跨接、微波射頻跨接和熱路。

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11 L光波S光波紅外光頻射結晶體管AM006MX-QG-R，這一有些分的總柵極尺寸為0.6mm。AM9006MX-QG-R是為高電功率紅外光廣泛應用而方案的，任務頻率達到6GHz。QG類別一個塑料管打包裝封，各個引腳彎曲成的表皮進行安裝休閑風的PC板。打包裝封的底下而且做為直流電等電位連接、紅外光頻射等電位連接和熱路。

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R

2018-11-01 16:06:54 Ku股票波段微波射頻多晶體管變成器AM005WN-00-R，其總柵極大小為0.5mm。這才是一種裸模，可使用到18千兆赫。它可出具典型的的是處于飽和狀態工率為33.4 dBm。它常用于工作噪音小污染、高動態圖規模的讀取機和高工率放出機的伺服驅動器器。這一方面是符合細則RoHS細則的。

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R

2018-11-01 16:01:32 X光波Ku光波微波射頻尖晶石管AM012WN-00-R，

S波段X波段Ku波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290

2018-11-01 08:55:59 S頻譜C頻譜X頻譜Ku頻譜K頻譜區域式低躁音變成器IC芯片CMD290，2-26 GHz（S，C，X，Ku，K頻譜）GaN低躁音變成器MMIC，。該移動寬帶元器件越來越時候規范要求低躁音比率耐腐蝕性和高設置效率求生專業能力的軟件應用。CMD290展示 12.5 dB的增加收益，應當的躁音比率為2.3 dB，13 GHz時的輸入輸出1 dB減小點為+19 dBm。

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片

2018-11-01 08:50:48 低嗓聲擴大器CMD163在國防Kk線低嗓聲擴大器集成電路芯片，有的是款高靜態范疇GaAs MMIC低嗓聲擴大器，是非常適用性于在國防，區域空間和通訊技術設備，之中小長度和高波形度是重點設汁的標準。該電子器件面向21 GHz開始了整合，可可以提供不超24 dB的增加收益，相關的的所在1 dB壓解點為+19 dBm，嗓聲標準值為1.3 dB。

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R

2018-10-31 16:40:41 Ck線VSAT頻射硫化鋅管AM025WN-00-R，其總柵極參數為2.5mm（5個1.25mm的FET串聯）。真是同一個裸模，還就可以工作到15千兆赫。它還就可以可以提供典例的趨于穩定輸出功率為40.5 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R

2018-10-31 16:26:13 X頻譜Ku頻譜微波射頻晶胞管AM100WN-00-R，其總柵極屏幕寬度匹配為10mm（幾個1.25mm的FET串連）。這些是的裸模，能能運營到15千兆赫。它能能出示典型案例的飽和狀態輸出功率為46.1 dBm。