Lk線高電壓砷化鎵場因素硫化鋅管AM010MH4-BI-R
發布公告時候:2018-11-05 15:33:48 打開網頁:1766
描述
AMCOM的AM010MH4-Bi-R是雙系統GaAs HIFET的有一部電影分。HiFET是高壓力、高功效、高平滑和帶寬利用領域的個部位篩選申請的設備配置單。該工做電壓元件的總工做電壓元件外邊為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高功效微波加熱利用領域而構思方案的,工做規律高達mg3GHz。BI系統主要采用有一種專項 構思方案的瓷質封口形式,有著彎折變形或直線條的引線和凸緣裝設方試。封口形式側面的蝶閥法蘭此外充當電流接地極線、rf射頻接地極線和熱路。你這個HiFET是適合RoHS標準規定的。
品牌
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型號
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貨期
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庫存
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AMCOM
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AM010MH4-BI-R
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1周
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50
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特征
25V漏極偏壓
寬帶部分匹配:直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益:g= 19dB@ 2.0GHz
高功率:P1dB=31 dBm @ 2.0GHz
高線性度:IP3=46dBm @ 2.0GHz
主要用于合理有效熱量散發的瓷磚封口
應用
寬帶應用
高電壓20~28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信