S中波段直流電砷化鎵場相互作用尖晶石管AM030MH4-BI-R
發布新聞耗時:2018-11-07 11:32:45 瀏覽訪問:1717
描述
AMCOM的AM030MH4-BI-R是雙系表GaAs HIFET的是一大組成部分。HIFET是大組成部分匹配好的專利權的設備設備的高電阻,高工率,高規則化度和聯通寬帶使用。該元元件的總元元件外場為12mm。AM030MH4-Bi-R是為高工率微波rf射頻使用而制作的,的工作頻段可以達到3GHz。BI系表選用本身特出制作的陶瓷圖片封口,具微彎或直線條的引線和凸緣怎么安裝方試。封口底下的法蘭部并且是 整流跨接、rf射頻跨接和熱路。這一個HiFET是符合國家RoHS標準規范的。
品牌
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型號
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貨期
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庫存
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AMCOM
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511AM030MH4-BI-R RLB
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1周
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50
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特征
28伏
寬帶部分匹配:直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益:g= 19dB@ 2GHz
高功率:P1dB=35dBm @ 2.0GHz
高線性度:IP3=50 dBm @ 2.0GHz
用來可以有效蒸發器的瓷磚封裝
應用
寬帶應用
高電壓20~28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信