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描述
AMCOM的AM012WN-Bi-R是一個個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極：寬度為1.25mm。它是在工業陶瓷廠家BI封裝形式，程序運行萬代高達10千兆赫。BI品類安全使用特出方案的工業陶瓷廠家封裝形式，都具有打彎（Bi-G）或直（BI）引線的的安裝策略。封裝形式頂端的法蘭片直接充當直流電地線系統、頻射地線系統和熱路。莫言的作品分是符合標準規范RoHS標準規范的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM012WN-BI-R	1周	50

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特征
高達10 GHz的高頻操作
增益＝17dB，p5dB＝37 dBm，PAE＝51%，漏＝55% @ 2.8 GHz。
表面貼裝
更好散熱性能的底下

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機