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便用擁有獨立自主柵極偏置把握的多處理機系統晶胞管的GaN HEMT變小器的線型激發

發表耗時：2018-05-04 13:53:07     訪問：9314

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：動用更具獨力柵極偏置操縱的串連單晶體管的GaN HEMT放縮器的規則化減弱。 GaN HEMT兼具較高的傳輸最大馬力比熱容和較寬的帶寬使用成馬力。僅是，GaN HEMT的線型典范地比GaAs馬力電子元器件的線型更差。論文指出好幾個種單純的辦法來增加GaN HEMT的線型度。所指出的辦法是將馬力電子元器件提成與獨力掌控的柵極偏置相電壓串聯的個子模快式，之后將最大馬力合并且還為子模快式傳輸。扮演變小器..
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