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描述
AMCOM的AM00 5WN BI-R一個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極：寬度為0.5mm。它在淘瓷封裝中運作會達12 GHz。BI系統動用特別設計方案的淘瓷封裝，具備彎曲變形（Bi-G）或直（BI）引線的使用方式方法。封裝底下的卡箍與此同時算作電流接地裝置線、微波射頻接地裝置線和熱路。這部劇分是符合國家RoHS標準單位的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM005WN-BI-R	1周	60

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特征
高達12 GHz的高頻操作
增益＝15dB，p5dB＝33.5dBm，PAE＝51%，漏極＝56% @ 3GHz。
表面貼裝
有效的水冷的下端

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機