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GTRB246608FC-V1是CREE的四款500瓦（P4dB）的SiC上GaN高電子技術轉至率晶胞管（HEMT），專業專注于多標淮蜂窩狀輸出功率調小器APP業務需求設計制作。GTRB246608FC-V1兼具提高生產率率和無軸環的熱怎強封裝類型。

車輛品種

簡述：高額定功率RF GaN SiC HEMT 500 W，48 V，2300-2400 MHz

最多規律（MHz）：2400

增益控制（dB）：15.7

二極管封裝專業類別：Earless

的特征

典例智能CW功能，2400 MHz，48 V，10μs單脈沖的頻率，10%占空比，組合式工作輸出

P4dB=600 W時的輸出熱效率

P4dB=60%時的熱效率

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