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CHA5014-99F專注于于X中波段采用開發設計的單面二級中上熱效率圖像電壓放大器。CHA5014-99F通常用以應該對攝氏度弱刺激性的輸出電壓公率的系統。

CHA5014-99F運用GaInP HBT加工制作工藝 系統，應用橫穿基材的通孔主氣橋。氮有機化合物層維護單晶體管和無源電子器件。

CHA5014-99F主要采用的難忘的管控漏電開關來要保持水溫下的轉換馬力。

主要是基本特征

30dBm過飽和輸出電壓功效

濕度應對輸送瓦數

哪幾種偏置策略：

-TTL插口數字化調整

-得益于于偏置電路原理的虛擬調節

靜態變量偏置點：8.5V@230mA

打包封裝規格：2.87 x 1.37 x 0.1mm3

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