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弗吉尼亞理工大學，弗吉尼亞州阿靈頓 
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT包括高的輸出電壓熱吸收率密度計算公式和移動寬帶寬下的提高吸收率率。然而 GaN HEMT的非波形度一般是比GaAs器材的非波形度差。此文提起一個多種簡潔的手段來持續改善GaN HEMT的非波形度。所提起的手段是將器材提成與單獨操作的柵極偏置交流電壓串連的許多子單元，然而對仗單元的輸出電壓完成熱吸收率團體。

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