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自己意見書好幾回個性模式指標的GaN MMIC打出工作電流值縮放器業務在40MHz到400MHz互相。該控制80W電磁（100US電磁屏幕寬度適配和10%占空比）MMIC反復）打出打出工作電流值（P5dB），40MHz，50W速度為54%大慨30%的速度在大個部分的在期間k線，、在400MHz時，速度正在逐步減少到30W，速度為22%。40-400MHz頻段的打出工作電流值收獲為25dB。該超大帶性指標是根據剪裁的儀器來控制的。打出抗阻，并施用特色的聯通寬帶網電線適配拓撲結構學。四種的儀器的詳細說明定制技術工藝并寫出適配電線。均值條約-聯通寬帶網縮放器，高電流值技術工藝，徽波電子器件，GaN MMIC PA.

一、引言
寬帶、大功率、高效率放大器是關鍵高級通信系統中的元素，如搜索和救援消防員、警察和海岸用軟件無線電警衛。實現寬帶的傳統技術放大是利用行波（TW）方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路進行變換。該設備的輸入阻抗和輸出阻抗達到50歐姆（3）。這個TW技術使用多個裝置模擬50歐姆。傳輸線實現寬帶寬。寬頻帶匹配方法具有尺寸小的優點。然而，如果大功率器件的輸出阻抗相差很大從50歐姆，這種方法的輸出匹配電路遭受大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器輸出。權力與效率。本文將FET串聯堆疊技術應用于最大化功率從PA [4-9]。還有大小功率級器件優化綜合最優
輸出阻抗接近50歐姆。這種方法使相對輸出阻抗匹配電路的設計，導致匹配電路中的低射頻損耗，導致高輸出功率寬帶高性能功率增加效率。
二。GaN單片集成電路設計
獲得超過20dB的功率增益，這是一個標稱規格在許多應用中，兩階段配置與基于TrimQuin的0.25m選擇級間匹配GaN HEMT工藝。圖1示出50W單片集成電路的照片。第一級器件尺寸為2.4mm，分為兩個1.2mm的路徑。第二級器件尺寸為16.8mm。
四，3系列1.4毫米HEMT組成。3x1.4mmHIFET裝置是DC和RF的三個1.4mm單位單元。
一國產（圖2）。電流偏置端電壓和頻射傷害抗阻一些HIFET皆是1.4mm工作公司的充電的幾倍。裝置，尤為是在高頻段。能夠有效的會選擇工作公司的模塊機 的多少和模塊模塊機 的規模一國產，人們應該優化提升HIFET傷害抗阻為類似50歐姆，以滿足聯通寬帶耐熱性。