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?GTVA101K4 L中波段工作電壓圖像放大儀CREE

發布信息用時:2023-09-13 16:58:47     瀏覽器:1273

CREE的GTVA101K4是款精心設計的高效率GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能。從而使得GTVA101K4特別適合0.96–1.4GHz頻率段的應用。GTVA101K4晶體管適合于從UHF到1.4GHz的特殊頻率段技術應用。

共同點

發送匹配

熟悉的電磁累計波特性;960–1215MHz;50V;單面;128μs電脈沖參數;10%pwm占空比;P3dB=1400W時的運行輸出功效;運行的效率=68%;增益值值=17dB

無鉛并要求RoHS的標準

廣泛用途

統計擴大器

CREE(科銳)確立于1987年,CREE科銳具備條件30二十多年的移動寬帶GAP原資料料和企業創新貨品,CREE科銳有的是個詳細的設計方案的合作商務合作,不符合rf射頻的需要,CREE科銳為行同行業技術優勢的廣州POS機生產設備提供數據更強的電機功率和更低的系統自然損耗。CREE科銳由最進行的GaN板材LED類新產品方法領先于全游戲世界,到微波通信rf射頻與分米波單片機芯片類新產品,CREE科銳于2017年拆分出微波通信微波射頻牌子Wolfspeed,以寬帶網、大輸出功率拖動器產品設備為特點。

武漢市立維創展新材料技術是CREE的經銷處商,都有CREE徽波元器件特色交貨方式,并不斷銷量外盤,以便中國有銷售市場各種需求。

信息詳細了解CREE頻射紅外光請點一下://www.takasago.net.cn/brand/35.html

CREE (21).png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

GTVA101K42EV-V1

GaN on SiC

0.96 GHz

1.4 GHz

1400 W

17 dB

68%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Bolt Down

LTN/GTVA101K42EV-V1

GaN on SiC

0.96 GHz

1.4 GHz

1400 W

17 dB

68%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Bolt Down


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