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HMC6147ALC5A/HMC6147ALC5ATR小型MMIC I/Q下變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:33:00 HMC6147ALC5A也是款寬敞型GaAs MMIC I/Q下直流伺服驅使器器，通過無引腳RoHS兼容型SMT芯片封裝。 該元器件出示13 dB小訊號改變增益控制，包括25 dBc邊帶可以抑制。 HMC6147ALC5A通過低背景噪聲變成器來驅使器I/Q混頻器，LO由X2倍頻器驅使器。

HMC6789BLC5A/HMC6789BLC5ATR陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝 ADI現貨

2018-07-03 10:27:08 HMC6789BLC5A一款緊促型GaAs MMIC I/Q下直流變頻空調器，主要分為合乎RoHS的標準的12引腳、瓷磚無鉛處理器形式(LCC)封口。該電子元件展示 14 dB的小的信號轉成增加收益和25 dBc的鏡像系統抑止穩定性。HMC6789BLC5A主要分為低噪音源變大器動力I/Q混頻器，這里面LO由x2乘法器動力

HMC1065LP4E/HMC1065LP4ETR鏡像抑制低噪聲變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:19:31 HMC1065LP4E是款家用suv型GaAs MMIC系統鏡像文件限制低低頻噪音變頻電機器，運用遵循RoHS規定的無鉛SMT封口。 該元器作為13 dB的小衛星信號變換增益值，17 dBc的系統鏡像文件限制和-2 dBm鍵入IP3。 HMC1065LP4E采用RF LNA和由有源X2倍頻器控制的I/Q混頻器工作的。

HMC1113LP5E/HMC1113LP5ETR表貼封裝緊湊型下變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:16:58 HMC1113LP5E是一種款緊奏型型GaAs MMIC I/Q下變頻柜器，選用無鉛5 x 5 mm低熱應力注塑加工塑膠片表貼封裝。 該電子元器件給予12 dB的小警報改換增益值、1.8 dB的噪音污染彈性系數和25 dBc的iso鏡像系統控制功效。 HMC1113LP5E選用LNA，后接由LO抗震器圖像放大電路驅動安裝的iso鏡像系統控制混頻器。

HMC951BLP4E/HMC951BLP4ETR小型 I/Q下變頻器 ADI現貨

2018-07-02 15:16:32 HMC951B也是款省油的suv型GaAs MMIC I/Q下直流變頻空調器，主要包括達到RoHS標準的的無引腳SMT芯片封裝。 該電子元件在整體的頻段的范圍內供給13 dB的小信號燈轉型增益控制、2 dB的噪音污染公式和24 dB的鏡象可以促使性能指標。 HMC951B主要包括LNA，后接由LO緩解器調大器驅動器的鏡象可以促使混頻器。

HMC8108LC5/HMC8108LC5TR緊湊型X頻段單芯片低噪聲轉換器 ADI現貨

2018-07-02 15:06:38 HMC8108是一種款緊密型、X頻段、砷化鎵(GaAs)單基帶集成塊紅外光一體化控制電路(MMIC)同相正交(I/Q)低噪音污染轉為器，用到復合RoHS規則的工業陶瓷無鉛基帶集成塊各種載體裝封。HMC8108將范圍之內為9 GHz至10 GHz的頻射(RF)導入電磁波轉為為的輸出web端60 MHz常見單端中頻(IF)電磁波。

HMC1056LP4BE/HMC1056LP4BETR無鉛SMT封裝混頻器 ADI現貨

2018-07-02 14:53:27 HMC1056LP4BE不是款緊奏型型I/Q MMIC混頻器，用于“無鉛”SMT封裝，該用作iso鏡像控制混頻器或一側帶有直流三菱變頻器。 該混頻器用于兩只規范Hittite雙平衡點混頻器第一單元和一種180度混合式電子器件，均用于GaAs Schottky肖特基二極管制作工藝產生。

HMC1063LP3E/HMC1063LP3ETR緊湊型I/Q MMIC混頻器 ADI現貨

2018-07-02 14:41:15 HMC1063LP3E就是款緊奏型型I/Q MMIC混頻器，主要進行了“無鉛”SMT打包封裝，用于作鏡像文件抑制性混頻器或單向帶著交流三菱變頻器。 該混頻器主要進行了好幾個準則Hittite雙動平衡機混頻器單園和一些直角結合配件，均主要進行了GaAs Schottky電感工藝技術營造。

Qorvo推出QPM2637/QPM1002用于雷達應用的超緊湊X波段FEM Qorvo現貨代理商

2018-07-02 14:30:32 Qorvo新的FEMs - QPM2637和QPM1002 - 形成在Qorvo的氮化鎵技術水平水平的基礎之下，該技術水平水平可保證更多的成效率，靠得住性，效率和可求生存性，并可控制代價尺寸，克重和代價。4個FEM將核心的T / R電源模塊功效智能家居控制到其中一個狹窄的封裝中：T / R轉換開關，效率放縮器和低嗓聲放縮器（LNA）。

HMC520ALC4/HMC520ALC4TR單芯片同相正交(I/Q)混頻器 ADI現貨

2018-07-02 11:55:30 HMC520A一款砷化鎵(GaAs)單電子元件微波通信整合電線(MMIC)、同相正交(I/Q)混頻器，利用達到RoHS條件的24引腳、陶瓷圖片無鉛電子元件平臺(LCC)裝封。該元件也可以作映射調節混頻器或一側帶變頻器。

HMC8191LC4/HMC8191LC4TR無源混頻器芯片 ADI現貨代理商

2018-07-02 11:48:52 HMC8191是一種款無源網絡帶寬的配置I/Q單心片徽波結合集成運放(MMIC)混頻器，可以用作閱讀器系統鏡像調控混頻器或釋放出器單側帶電池直流變頻空調器。HMC8191具備有6 GHz至26.5 GHz的rf射頻(RF)和本振(LO)依據以其DC至5 GHz的中頻(IF)帶寬的配置，是適宜都要寬頻點依據

HMC524ALC3B/HMC524ALC3BTR緊湊型GaAs MMIC I/Q混頻器 ADI現貨

2018-07-02 11:41:18 HMC524ALC3B就是款緊密型GaAs MMIC I/Q混頻器，采取了了符合國家RoHS的標的無引腳SMT衛浴陶瓷封裝類型。 該器材可以作鏡像軟件調節混頻器或單向攜帶定頻器。 該混頻器采取了了3個的標雙平衡性混頻器模快和一些70度融合器材，均采取了了GaAs MESFET加工工藝創造。

HMC498LC4/HMC498LC4TR高動態范圍功率放大器 ADI現貨

2018-06-29 13:47:59 HMC498LC4是一種款高靜態標準GaAs PHEMT MMIC中高電率變小器，分為無引腳“無鉛”SMT封裝。 該變小器兼有17至24 GHz的作業標準，提拱22 dB收獲、+26 dBm供大于求電率和23% PAE（+5V主機電源的電壓）。

HMC383LC4/HMC383LC4TR通用MMIC驅動放大器 ADI現貨代理商

2018-06-29 13:42:06 HMC383LC4也是款萬能GaAs PHEMT MMIC驅動下載放縮器，采取滿足RoHS標準的無引腳SMT封裝。 該放縮器采取+5V單電源模塊，增益控制控制為15 dB，飽和狀態熱效率為+18 dBm。 在一整個操作頻帶寬度內含有不一的增益控制控制和模擬輸出熱效率

HMC633LC4/HMC633LC4TR驅動放大器頻率5.5至17 GHz ADI現貨

2018-06-29 11:41:51 HMC633LC4都是款GaAs PHEMT MMIC驅動程序縮放器，選取無鉛4x4 mm表貼陶瓷制品芯片封裝，工作中頻繁 時間范圍為5.5至17 GHz。 該縮放器提高高達mg30 dB的增益控制、+30 dBm所在IP3及+23 dBm的所在耗油率

HMC634LC4/HMC634LC4TR驅動放大器陶瓷表貼封裝 ADI現貨

2018-06-29 11:34:17 HMC634LC4就是款GaAs PHEMT MMIC帶動變成器，選用無鉛4x4 mm瓷磚表貼封裝形式，事業速率使用范圍為5至20 GHz。 該變成器能提供高達mg21 dB的收獲、+29 dBm模擬輸出精度IP3及+22 dBm的模擬輸出精度公率（1 dB收獲解壓縮時），耗電為180 mA（+5V供電）。

HMC498/HMC498-SX功率放大器頻率范圍為17至24 GHz ADI現貨

2018-06-29 11:21:07 HMC498就是款高動態圖依據GaAs PHEMT MMIC工作任務效率放縮器，工作任務頻帶寬度依據為17至24 GHz。 HMC498提高24 dB增加收益，飽滿工作任務效率為+27 dBm，電源適配器電阻值為+5V (25% PAE)。 因此尺寸較小，HMC498放縮器可放松集成系統到多集成電路芯片模塊電源(MCM)中。

HMC-APH596/HMC-APH596-SX兩級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器 ADI現貨

2018-06-29 11:18:34 HMC-APH596是款兩極GaAs HEMT MMIC適中任務電壓電流拖動器，任務頻點超范圍為16至33 GHz。 HMC-APH596供給17 dB增加收益，進行+5V電壓電流電壓電流時體現了+24 dBm內容輸出任務電壓電流（1 dB收縮）。

RFGA2012低功耗線性放大器 Qorvo現貨代理商

2018-06-28 17:16:12 Qorvo的RFGA2012特地構思用作以輕柔的的直流變壓器最大功率進行高OIP3。超線型效果已在150MHz至3GHz的規格頻段中能夠 證明書。RFGA2012更具VBIAS引腳，支持用戶名對於特殊規范提高外部感應電流。VBIAS引腳也常用作掉電引腳。

RFGA0024高性能InGaP HBT MMIC放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 17:03:26 Qorvo的RFGA0024就是款高功能InGaP HBT MMIC變成器。RFGA0024的內壁有源偏置線路合法變成器間接從5V外接電源作業，并打造保持穩定的直流電壓隨室內溫度波動并罰理Beta波動。這件達林頓變成器的內壁連接內阻為50歐姆，愈來愈是和需求小規格和至少外元器件封裝的軟件。

RFGA0014低成本寬帶增益MMIC放大器 Qorvo現貨代理商

2018-06-28 16:46:56 Qorvo的RFGA0014不是款高特點InGaP HBT MMIC擴大器。RFGA0014的內有源偏置電路系統容許擴大器同時從5V供電工作任務，并提拱相對穩定的電流量隨環境溫度轉變 并罰理Beta轉變 。這輛達林頓擴大器的內可以功率電阻為50歐姆，越來越可以還要小面積和少外表pcb板的APP。

RF5633驅動器級線性功率放大器IC 5 V線性功率放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 16:39:52 Qorvo的RF5633是專為從而或win7驅動級軟件應用規劃的概念的規則化工率調小器IC。該公率器件用中含側面一定接地的無引線處理器的載體。RF5633規劃的概念在在廣泛應用的高溫和工率工作所在時間范圍內保持穩定規則化。間接相配為若干頻段的工作所在工率帶來可控性。

RF5623中等線性功率放大器IC Qorvo現貨

2018-06-28 16:29:31 Qorvo的RF5623是專為中等水平工作公率適用設計制作制作的線形工作公率變大器IC。該集成電路芯片選取先進的的InGaP異質結雙極結晶管（HBT）工序生產制造，設計制作制作用來作為802.16e散發器的最中rf射頻變大器。

RF3827高線性度的RF放大器IC 線性通用放大器Qorvo現貨

2018-06-28 16:21:13 Qorvo的RF3827是一個款通用版，成本分析投入，高規則化度的RF變大器IC。該電子元件選取砷化鎵方法生產加工，選取3mm x 3mm，16引腳QFN打包封裝。它很時候用來作為規則化/低躁音變大器，其中的OIP3相當38dBm，躁音數值高于1.5dB。

RF3315高效率放大器 200 - 2200 MHz寬帶高線性度放大器 Qorvo現貨熱銷

2018-06-28 16:06:31 Qorvo的RF3315是款轉化率率砷化鎵異質結雙極氯化鈉晶體管（HBT）變小器，通過低人工成本面上貼裝封口。該變小器更加適用性于要求200MHz至3GHz頻帶寬度超范圍內的高線性網絡度和低噪音污染公式的應用軟件。

RF3223表面貼裝封裝500 - 2000 MHz低噪聲，高線性驅動放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 16:03:29 Qorvo的RF3223就是款進行成本低價的表面貼裝封口的有效GaAs異質結雙極晶狀體管（HBT）圖像電壓調大器。該圖像電壓調大器極為應主要包括必須 500MHz至3GHz次數空間內的高線型度和低燥音指數公式的運用。RF3223進行單5V電源模塊用電，進行經濟發展的3mm x 3mm QFN封口。

RF3220高效率砷化鎵異質結雙極晶體管（HBT）驅動放大器 Qorvo現貨熱銷

2018-06-28 15:38:32 Qorvo的RF3220是一種款優質率砷化鎵異質結雙極單晶體管（HBT）變小器，所所適用低價格表明貼裝打包封口。該變小器相對符合于須要500MHz至3GHz率比率內的高曲線度和低燥音指數的app。RF3220所所適用單5V電源適配器配電，所所適用經濟能力的3mm x 3mm QFN打包封口。

RF2162高功率高效率線性放大器IC Qorvo 3 V線性放大器現貨代理商

2018-06-28 15:23:18 Qorvo的RF2162是針對于3V手拿操作軟件的高馬力高成功率率線性網絡放縮器IC。該元器用于領先的砷化鎵異質結雙極氯化鈉晶體管（HBT）生產技術營造，設計用到雙經營模式3V CDMA / AMPS手拿數字化蜂窩產品擴頻操作軟件和某個app中的后面RF放縮器。 800MHz至960MHz頻段。

QPM1000集成式限幅器/ LNA高性能低噪聲放大器 Qorvo現貨出售

2018-06-28 15:20:09 Qorvo QPM1000是款結合式限幅器/ LNA，可在2-20GHz概率比率內帶來添富藍籌，高耐腐蝕性。QPM1000在增加收益的控制的控制下帶來17 dB的小無線信號增加收益的控制，在一個概率比率內具備著1.7 - 4 dB的低頻噪音數值，> 18 dBm P1dB。除此之外，結合限幅器帶來高達hg4 W的入射最大功率的添富藍籌性總體水平，而不用大大減少耐腐蝕性。

美國AMCOM 微波設計制造公司 AMCOM代理商

2018-06-28 14:57:18 AMCOM籌建于1997年16月，由一群群在紅外光加熱通信加熱三極管設計的概念方案和紅外光加熱通信加熱元器件生產技藝地方技術 極為豐富的紅外光加熱通信加熱設計的概念方案師分為。它最靠近美式馬里西安蓋瑟斯堡，距華盛頓西南約20英里。該企業成為一流的紅外光加熱通信加熱設計的概念方案機構收錄盛譽，該機構收錄馬力FET，MMIC馬力擴大器與帶RF和DC無線防水連接器的高馬力擴大器摸塊，這摸塊已備好功能強大于紅外光加熱通信加熱模式。