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HMC637ALP5E也是款GaAs MMIC pHEMT地域分布式存儲導出電壓最大功率放小器，崗位概率范圍之內圖為DC至6 GHz。 該放小器提高13 dB增加收益值控制、+44 dBm導出電壓IP3和+29 dBm導出電壓導出電壓最大功率（1 dB增加收益值控制擠壓），輸出功率為400 mA（選用+12V主機電源）。 HMC637ALP5E在DC - 6 GHz范圍之內圖內提高±0.75 dB的突出增加收益值控制比較平整度，因此十分的好EW、ECM、統計和測試方法設施APP。 HMC637ALP5E放小器I/O內層自動匹配50 Ω特性阻抗，5x5 mm QFN封裝形式與高出水量SMT安裝設施兼容。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC637ALP5E HMC637ALP5ETR	GaAs pHEMT MMIC 1W功耗放大器，DC - 6 GHz	現貨	35

HMC637ALP5E應用

• 電信基礎設施
• 微波無線電和VSAT
• 軍事和太空
• 測試儀器儀表
• 光纖產品

HMC637ALP5E優勢和特點

• P1dB輸出功率： +29 dBm
• 增益： 13 dB
• 輸出IP3： +44 dBm
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 32引腳5x5mm SMT封裝

HMC637ALP5E結構圖