欧美一二区-欧美亚洲一区-欧美激情一区-欧洲一区二区

文獻綜述-GaN功率器材具與GaAs功率器材比較的噪音源污染標準值，一并要能接受很高的插入控制器。中心句說了2～4GHz(S波長)Pout～37dBm的GaN低噪音風機源污染圖像放大儀(LNA)、1．8～3．5dB噪音源污染標準值(NF)和48～54dBm輸入輸出的參看三階截距點(OIP3)的制作。按照將柵極外邊為2.5mm的輸入輸出的級拆成1.25mm的二個個部分并優化系統其偏置，行調理直線效果。偏置二個FET的不同于產生IMD8分量的相位去掉和OIP3效果的調理。實驗操作結局取決于，在AB類柵極偏置和深AB類柵極偏置時，OIP3可調理9.5dBm。直線度FOM（OIP3/PDC）也實現調理，在較高的噘嘴時高于14。氮化鎵（GaN），S波長，LNA，直線化，OIP3。

一、引言
GaN HEMT技術正在成為雷達、電子對抗和無線通信應用的首選技術。與傳統技術（GaAs、CMOS、SiGe）相比，GaN器件在微波頻率下具有高的輸出阻抗，因此可以提供非常高的輸出功率、高擊穿和較寬的工作帶寬。GaN器件具有與GaAs類似的噪聲系數，并且能夠承受高輸入功率電平。這消除了常規接收機中使用的限幅器電路的需要。同時，LNA線性度在惡劣環境下對微波接收機是一個挑戰[1]-[2]。本文提出了一種具有高OIP3的線性GaN-LNA。基本的方法是將晶體管分成多個較小的并行柵極，并分別對它們進行偏置。通過獨立地改變每個晶體管的偏壓，可以提高線性度。在以前的工作中，將該技術應用于GaN PA，在中等和高輸出功率電平下觀察到了改進[3]。在本文中，我們將此技術應用于GaN LNA，并看到在較低和更高輸出功率電平的改進。據作者所知，這是首次使用該技術改進GaN LNA的線性度。

二。線性化方法
通過在感興趣的頻率附近向放大器輸入施加雙音信號，模擬電路的線性度。為了獲得具有較好OIP3的電路，其思想是通過相位抵消來降低三階互調產物的功率電平。

更好的技術企業信息請取得在線留言公司qq客服相關人員！！！