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HMC1144都是款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子設備遷入率(pHEMT)、單處理集成塊紅外光集成系統化線路(MMIC)分散式熱效率變成器，崗位頻段比率為40 GHz至70 GHz。 在40 GHz至50 GHz的超低頻高壓發生器段比率內，HMC1144出示19 dB增加收益控制（非常典型案例值）、28 dBm模擬效果IP3及19.5 dBm模擬效果熱效率（1 dB增加收益控制壓解）。 在50 GHz至70 GHz的高頻率段比率內，HMC1144出示19 dB增加收益控制（非常典型案例值）、32 dBm模擬效果IP3及21 dBm模擬效果熱效率（1 dB增加收益控制壓解）。 HMC1144選取4 V電壓供電系統，耗電量為320 mA。 HMC1144變成器插入/模擬效果的內部相配50 ?，可更方便地集成系統化有且僅有處理集成塊包塊(MCM)。 整個數據源均由借助比較短0.076 mm (3 mil)的好幾條0.025 mm (1 mil)線焊接的處理集成塊提高。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC1144	35 GHz至70 GHz，GaAs、pHEMT、MMIC、中等功率放大器	現貨	68

HMC1144用途

• 測試儀器儀表
• 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
• 軍事與太空
• 電信基礎設施
• 光纖產品

HMC1144結構和特點

• 針對1 dB壓縮(P1dB)的輸出功率： 21 dBm（典型值）
• 飽和輸出功率(PSAT)： 22 dBm（典型值）
• 增益： 19 dB（典型值）
• 輸出三階交調截點(IP3)： 28 dBm（典型值）
• 電源電壓： 4 V (320 mA)
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 裸片尺寸： 2.3 mm × 1.8 mm × 0.102 mm

HMC1144結構圖