S波長進行高壓砷化鎵場作用結晶體管AM030MH4-BI-R
更新周期:2018-11-07 11:32:45 瀏覽記錄:1705
描述
AMCOM的AM030MH4-BI-R是雙國產GaAs HIFET的十大大部分。HIFET是大大部分識別的發明專利環保設備顯卡配置的高電流,高電機任務電壓,高規則化度和寬帶網絡APP。該電子元件的總電子元件周圍為12mm。AM030MH4-Bi-R是為高電機任務電壓紅外光APP而結構設計的,任務頻率將高達3GHz。BI國產選擇種特有結構設計的陶瓷制品封裝類型類型,更具拉伸或直線行駛的引線和凸緣按裝途徑。封裝類型類型左下角的法蘭盤直接是直流電與地面、rf射頻與地面和熱路。這HiFET是包含RoHS準則的。
品牌
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型號
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貨期
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庫存
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AMCOM
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511AM030MH4-BI-R RLB
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1周
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50
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特征
28伏
寬帶部分匹配:直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益:g= 19dB@ 2GHz
高功率:P1dB=35dBm @ 2.0GHz
高線性度:IP3=50 dBm @ 2.0GHz
用在很好的水冷的瓷質芯片封裝
應用
寬帶應用
高電壓20~28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信