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?最后代650 V裸片SiC MOSFET

發布消息時段：2025-01-03 16:57:39     閱覽：630

行業界一流大學導通內阻和打開消耗，都可以確保最佳選擇特性和工作效率體積參數指標。

Wolfspeed按照其第三步代650 V SiC MOSFET擴大了其無定形碳硅（SiC）新技術上的核心的地位。在更多方面的供電局系統化中夠滿足體行更小、稱重更輕、越高效的供電局和轉化了。650 V SiC MOSFET是性能方面桌越行業供電、服務于器/電信寬帶網絡數據開關電源、新自然能源直流電高鐵動車（EV）蓄電器、儲蓄能量生產設備、緊急主機電源（UPS）和手機電池操作機系統等的功能的絕佳選。

特性

低溫生態環境的低導通電容

低內寄生電容（電容器）

遵循超低交叉完全恢復的高質量電感

將持續高溫把控（Tj=175°C）

MOSFET.png

優勢

根據修正電源開關和傳送耗用從而提高機械學習效率

體現高旋鈕頻段控住

不斷提高系統性級功效相對密度主要參數

削減系統設計規格尺寸；載重量；和一系列冷卻規定要求

關鍵適用

制造業交流電源

提供遠程服務器/聯通電腦網絡

新綠色能源筆記本電動充電樁設備

存儲的設備（ESS）

應急預案電源線（UPS）

蓄電池處理系統的（BMS）

CREE科銳于2017年提取出微波加熱微波射頻國產品牌Wolfspeed，以網絡帶寬、大公率變大器車輛為優勢。

廣州市立維創展科技信息是CREE的代理商商，持有CREE微波通信電子器件優越供貨期渠道方式，信用分可以保障原版真貨。

*一部分類型需申報美國的出口產品許可證書。商品詳情熟悉更加型號查詢，歡迎會了解立維創展！


Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C

Gen 3


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