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900 V分立炭化硅MOSFET CREE

發布信息用時：2024-12-17 11:21:28     瀏覽器：672

CREE擴充了其在炭化硅（SiC）新技術中的主導者整體素質，低電感分立裝封配備寬沿面和漏極與源極內的洞眼長度（~8mm）。900 V分立氫氟酸處理硅MOSFET機靈結合多種的MOSFET存儲芯片低頻穩定性，但會給予軟件應用于高感染學習環境的超支電力分隔。單獨的開爾文源管腳減低了工作功率電感；最終得以控制開關耗率減低了30%。設汁師能夠 憑借從硅基轉向系統硅基來減低配件數量；經由加強電源開關效能，能夠 經由三電平拓補結構轉變成成比較高效的兩電平拓補結構。

表現形式

在整體上工做的溫度區間內，最底額定電壓是900V Vbr

帶win7驅動源的低阻抗匹配裝封

高傳導交流電壓，低RDS（重置）

低方向恢愎（Qrr）的高效率的本征電子元器件大家庭中的一員-二極管

有效于串聯，應用簡約

MOSFET.png

優越

順利通過少旋轉開關和表達消耗的資金不斷提升模式成功率

達到高電開關幾率操作

的提升設計級工率體積

調低設備投資額；凈含量；和冷凝使用需求

啟動的新的硬按鈕拓撲關系（Totem Pole PFC）

典型示范應運

馬達設定軟件

新能源環衛車類型平臺e電動充電樁平臺

突發電源線（UPS）

動力電池測試儀系統軟件

新綠色能源自高鐵火車快速的能充電系統軟件

車載電子專研器

傳輸平衡裝置

悍接加工工藝

東莞 市立維創展社會非常有限我司代理權銷售CREE微波通信元器件，若是須得購CREE食品，請鼠標點擊右方網上客服取得聯系公司！！！

 
Product SKUBlocking VoltageRDS(ON) at 25°CCurrent RatingTjmaxPackage
C3M0065090D900 V65 mΩ36 A150 °CTO-247-3
C3M0120090D900 V120 mΩ23 A150 °CTO-247-3
C3M0280090D900 V280 mΩ11.5 A150 °CTO-247-3
C3M0030090K900 V30 mΩ63 A150 °CTO-247-4
C3M0065090J900 V65 mΩ35 A150 °CTO-263-7
C3M0120090J900 V120 mΩ22 A150 °CTO-263-7
C3M0280090J900 V280 mΩ11.5 A150 °CTO-263-7


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