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CMPA0060002D就是一種擁有氮化鎵（GaN）高電子器件變更率氯化鈉晶體管（HEMT）的片式微波射頻集合電路原理（MMIC）。與硅或砷化鎵相較較，GaN具有著變得高品質的性能參數，包含了更好的電壓擊穿場強、更好的過剩電子技術漂移時速與更好的導熱性因子。與Si和GaAs結晶體管相信較，GaN HEMT還出具更強的公率溶解度和更寬的服務器帶寬。CMPA0060002D施用勻稱式（導波）拖動器設置想法，也可以在更小的占用量的面積內確保極寬的傳輸速率。

的特征

?17 dB小表現增加收益值

?2 W基本特征PSAT

?額定功率交流電壓自由高達28V

?高損壞場強

?室溫度利用

?尺寸0.169 x 0.066 x 0.004寸大

應用

?超大帶縮放器

?光纖寬帶線驅動軟件器

?軟件測試設配

?EMC增加器動力器

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