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GTRB246608FC-V1是CREE的一件500瓦（P4dB）的SiC上GaN高網絡搬遷率晶胞管（HEMT），銳意創新于多的標準蜂窩狀工作功率變大器用使用需求設計的。GTRB246608FC-V1提供提高速率率和無軸環的熱明顯增強二極管封裝。

軟件外形尺寸

描述：高馬力RF GaN SiC HEMT 500 W，48 V，2300-2400 MHz

比較高工作頻率（MHz）：2400

增加收益（dB）：15.7

打包封裝品類：Earless

的特征

主要表現激光脈沖CW耐磨性，2400 MHz，48 V，10μs脈沖造成的概率，10%占空比，組成輸出精度

P4dB=600 W時的工作輸出公率

P4dB=60%時的能力

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