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WS1A2639-V1-R3K S頻譜電機功率增加器CREE

分享時長:2024-11-14 17:26:18     閱讀:746

WS1A2639-V1-R3K是CREE的有款非對稱性多赫蒂熱效率增加器模塊圖片(PAM),將GaN on SiC使用軟件應用軟件和意式化的適配和偏置直流電壓線上結合在具備著品質散熱性能程序的雙層以上層壓材料上。WS1A2639-V1-R3K聲音頻率的范圍在2496 MHz至2690 MHz。還有便用是最高的50V的電原電流電壓;平均輸出精度馬力規則為6至8 W,很高值系數增漲,數據預失真是LTE和5G NR大數據數據信息,瞬時速率高至200 MHz。WS1A2639-V1-R3K封號裝在6mm X 6mm的焊層柵格陣列(LGA)封裝中。

WS1A2639-V1-R3K.png

好產品規格尺寸

分析:38.5dBmGaN on SiC耗油率調小器模組;2496-2690MHz

最少頻段(MHz):2496

比較高率(MHz):2690

P3dB輸出電壓公率(W):50

收獲值(dB):16.5

質量(%):57

額定負載輸出功率(V):48

封裝行業類型:單單從表面貼裝

芯片封裝:芯片封裝分立多晶體管

新技術用:SiC上的GaN

共同點

GaN基SiC技藝選用

從元器件封裝二側為核心導和是最高的值子增加器滿足柵極偏置電阻值24v電源

集合化諧波終端設備

無鉛并做到RoHS條件

推見的驅動程序怎么安裝是WSGPA01

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