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GaN寬帶晶體管50 V，200 W，DC - 2.7 GHz
NPT2024 GaN HEMT就是種帶寬硫化鋅管，針對于整流 - 2.7GHz崗位上完成了優化網絡，選用推挽式系統配置。該元器件二極管封裝不支持CW，激光脈沖和波形崗位上，輸入電機功效為業內標準單位可塑料二極管封裝，電機功效為200 W（53 dBm）。NPT2024至關操作在國家安全通信網絡，地面走動手機無線數字電，航空航天電子器件環保設備，手機無線數字基礎理論體系，ISM操作和VHF / UHF / L / S頻譜雷達天線。選用SIGANTIC®工序研制 - 其中一種專有的GaN-on-Silicon高技術。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	NPT2024	1周	200

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特征
 Si HEMT D模式晶體管上的GaN
 100％射頻測試
 68％的排水效率@ 900 MHz
 22 dB增益@ 900 MHz
 50 V操作
 可調諧DC - 2.7 GHz
 適用于線性和飽和應用
 符合RoHS *標準，兼容260°C回流焊
 標準塑料包裝，帶螺栓法蘭

應用
 航空航天與國防
 航空電子學
 國防通訊
 主義
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
電源電壓：50 V.
PSAT：200瓦
增益：20 dB
測試頻率：0.9 GHz
最大頻率：2,700 MHz
最小頻率：0 MHz

MACOM是全球唯一一家用于射頻應用的GaN on Si技術供應商。我們在Si RF功率晶體管產品上提供廣泛的連續波（CW）GaN，作為分立器件和模塊，設計工作在DC至6 GHz。我們的高功率CW和線性晶體管是民用航空電子設備，通信，網絡，長脈沖雷達以及工業，科學和醫療應用的理想選擇。我們的產品組合利用了MACOM超過60年的傳統，即使用GaN on Si技術提供標準和定制解決方案，以滿足客戶最苛刻的需求。我們的GaN on Silicon產品，采用分立晶體管和集成放大器，采用0.5微米HEMT工藝，在功率，增益，增益平坦度，效率方面表現出優異的RF性能，