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GTRB226002FC-V1是CREE是款450瓦（P3dB）的SiC上GaN高電子為了滿足電子時代發展的需求，遷出率氯化鈉晶體管（HEMT），APP在多標準單位蜂窩狀熱效率調大器的技術APP。GTRB226002FC-V1有高效、性價比最高化和無軸環的熱加強二極管封裝結構類型。

新產品要求

敘述：SiC HEMT上的高額定功率RF GaN 450 W，48 V，2110-2200 MHz

較低規律（MHz）：2110

是最高的幾率（MHz）：2200

P3dB所在電機功率（W）：450

收獲值（dB）：15

吸收率（%）：60

特點

主要的激光脈沖CW性：10μs脈寬總寬，10%pwm占空比，2200 MHz，48 V，Doherty治具效果=65%

收獲值=14dB

P3dB=450W時的內容輸出輸出

摸特模形1B級（給出ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

低熱擴散系數

無鉛并要求RoHS條件

GaN基SiC HEMT高技術

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