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?GTRB204402FC L中波段高額定功率RF GaN

上線日期:2024-11-06 17:13:24     預覽:651

GTRB204402FC/1是CREE的是一款350瓦(P3dB)的SiC上GaN高電子器材變遷率多晶體管(HEMT),傾力于多的標準蜂窩狀功效放縮器技術設備運用訴求設置。GTRB204402FC享有有能力率和無軸環的熱開展裝封。

GTRB204402FC.png

食品規格

簡述:SiC HEMT上的高功效RF GaN 350 W,48 V,1930-2020 MHz

低點工作頻率(MHz):1930

最大頻率(MHz):2020

P3dB模擬輸出耗油率(W):350

增益控制值(dB):16.3

高質量率(%):58

功率電壓電流(V):48

封裝類型種類:Earless

芯片封裝:芯片封裝分立結晶管

科技:SiC上的GaN

特點

典范的脈沖發生器CW安全性能,2020 MHz,48 V,10μs智能厚度,10%pwm占空比,樂隊組合的輸出

P3dB=350W時的內容輸出公率

P3dB時的快速率=65%

男模模特1C級(會根據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)

無鉛并滿足了RoHS準則

河南市立維創展創新科技限制集團商標授權代理商CREE微波加熱電子元器件,若是要有購CREE商品,請點一下左下微信客服取得關于我們公司!!!

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