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GTRA262802FC是CREE的250瓦（P3dB）GaN on SiC 高輸出RF GaN變小器，應運于多規范蜂窩狀馬力變小器高技術應運。GTRA262802FC應具輸進支持、高率和無軸環熱減弱二極管封裝的功能。

尺寸規格參數值

舉例說明：SiC HEMT的高工作效率RF GaN 250 W；48v；2490-2690MHz

最少頻次（MHz）：2490

至高頻點（MHz）：2690

P3dB輸入輸出（W）：250

增加收益值（dB）：14

生產率（%）：54

固定電流（V）：48

封裝類：Earless

二極管封裝類型：二極管封裝類型分立多晶體管

能力應用軟件：SiC的GaN

的特點

?GaN-on-SiC HEMT技術用途

?輸人適應

?一般的智能CW性，2605 MHz，48 V，搭檔輸入，16μs輸入脈沖凈寬，10%pwm占空比

-P3dB=250W時的打出諧波失真

-有效率=62%

-增加收益值=14.4 dB

?一起在48 V、38 W（CW）所在額定功率下運營10:1 VSWR

?中國女模型號1A級（不同ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低散熱量

?無鉛并擁有RoHS基準

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