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CREE的GTVA261802FC-V1是款170w的GaN-on-SiC HEMT D方式放縮器，可使用于多標準規范蜂窩狀電功率放縮器技術工藝應運。GTVA261802FC-V1要具備錄入適應、高錯誤率的率和無軸環熱開展封裝的特征。

服務的規格

描述：SiC HEMT上的高馬力RF GaN 170 W，48 V，2620-2690 MHz

最低值率（MHz）：2620

最明顯的平率（MHz）：2690

P3dB輸出最大功率（W）：170

增益控制值（dB）：16.8

高率（%）：43

額定值額定電流（V）：48

封裝形式種類：Earless

封裝形式：封裝形式分立多晶體管

技藝：SiC上的GaN

特殊性

?GaN-on-SiC HEMT技術性

?導入適用

?關鍵的智能CW能，搭配傳輸，

2690 MHz，48 V，10μs輸入脈沖屏幕寬度匹配，10%pwm占空比

-P3dB=170W時的輸入輸出工作效率

-P3dB時的漏超高效果=65.5%

-P3dB=15dB時的收獲值

?會達成48 V、180 W（CW）效果額定功率下10:1的VSWR

?男模建模 1A級（給出ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低傳熱性常數

?無鉛并具備RoHS規格

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