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GaN寬帶晶體管模具
MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT就是一項帶寬晶狀體管處理芯片，涉及DC-3.5 GHz業務進行了提升。該熱效率器件可以CW，脈沖造成的和波形業務，輸出電壓熱效率為45 W（46.5 dBm）。MATR-GSHC03-160150比較適于于中國軍事通訊網絡，大陸手機無限電，民航電子產品，無限基本知識設施設備，ISM技術水平應用和VHF / UHF / L / S股票波段雷達天線。用于SIGANTIC®工藝技術水平加工 - 一項專有的GaN-on-Silicon技術水平。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	MATR-GSHC03-160150	1周	120

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特征
 Si HEMT D模式晶體管裸片上的GaN
 2.5 GHz時54％的漏極效率
 12 dB增益@ 2.5 GHz
 28 V操作
 寬帶操作DC - 3.5 GHz
 適用于線性和飽和應用
 活動區周邊：16毫米
 100％DC測試
 符合RoHS *標準
 芯片尺寸：0.60 mm x 4.49 mm x 0.1 mm
 出口分類：EAR99

應用
 航空電子學
 國防通訊
 ISM應用程序
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
測試頻率：2.5 GHz
增益：12 dB
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦

MACOM是環球唯獨是一家用來rf射頻軟件軟件的GaN on Si能力性批發商商。你們在Si RF辦公利用率多硫化鋅管新品牌上帶來了常見的連續式波（CW）GaN，身為分立元器件和組件，制作辦公在DC至6 GHz。你們的高辦公利用率CW和規則化多硫化鋅管是商用民用航空光電生產設備，通訊，網絡信息，長脈寬雷達天線及及實業，科學研究和醫用軟件軟件的夢想選購。你們的新品牌結合使用了MACOM低于60年的中國傳統，如果用GaN on Si能力性帶來了基準和高端定制應對處理方式，以符合業主最嚴苛的標準。你們的GaN on Silicon新品牌，分為了分立多硫化鋅管和一體化放縮器，分為了0.52umHEMT的工藝，在辦公利用率，增加收益控制，增加收益控制平滑度，利用率幾個方面表演出優良的RF的性能，