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AM020MH2-BI-R HiFET高電壓GaAs場相互作用管AMCOM

上架時:2024-09-20 08:56:24     瀏覽記錄:744

  AMCOM的AM020MH2-A-BI-R是其BI系列GaAs HiFET的一部分。這款HiFET是一種部分匹配的專利設計,適用于高電壓、高功率和寬帶應用。此組件具有4毫米的總設備周長。AM020MH2-BI-R專為高功率微波應用設計,頻率范圍最高可達6GHz。

  BI類別選擇特備制定的瓷器封裝,體現了直引腳進行安裝格調。封裝側面的活套法蘭與此同時有所作為DC保護接地極、RF保護接地極和熱管散熱途徑。還一斜種微彎引腳固件版本常采用面貼裝技術工藝(SMT)用途。

AM020MH2-BI-R HiFET高壓GaAs場效應管AMCOM

  特點

  - 移動寬帶這部分配備:DC至2.4GHz  - 低頻的操作:能夠達到6GHz  - 高增加收益:在3.5GHz時增加收益15dB  - 高輸出:在3.5GHz時P1dB為31dBm  - 高線型度:在3.5GHz時IP3為46dBm  - 頂端接地線很好散熱管

  應用

  - 光纖寬帶軟件  - 高電阻值10V至14V  - wifi手機局域  - PCS移動基站  - WLAN、中繼器和HIPERLAN  - 預警雷達和航空運輸流量

  參數:

Bias at 14V/270mA (S2P file downloadable from the Web)
Freq
(MHz)
MAG(S11)ANG(S11)MAG(S21)ANG(S21)MAG(S12)ANG(S12)MAG(S22)ANG(S22)
200 0.621 -18.621 8.642 167.68 0.045 13.795 0.405 4.177 
500 0.631 -43.6 8.277 149.531 0.036 -25.302 0.509 -3.917 
1000 0.64 -80.941 7.365 121.484 0.028 -26.833 0.578 -25.813 
1500 0.679 -107.195 6.336 98.301 0.025 -25.939 0.601 -44.057 
2000 0.683 -130.367 5.444 76.973 0.024 -29.102 0.615 60.441 
3000 0.687 -167.484 4.115 39.754 0.02 -40.691 0.647 88.875 
4000 0.677 163.773 3.294 7.847 0.014 -56.361 0.692 -112.52 
5000 0.641 137.336 2.805 -21.489 0.003 -153.734 0.706 -129.172 
6000 0.599 105.863 2.726 -51.602 0.023 43.555 0.79 146.367 
7000 0.541 58.244 2.604 -87.004 0.037 7.578 0.817 -166.602 
8000 0.571 0.882 2.359 125.16 0.047 -25.074 0.839 172.109 
9000 0.687 -45.787 -162.023 0.057 -52.545 0.83 150.031 
10000 0.808 -78.57 1.688 163.75 0.069 80.164 0.799 126.715 


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