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UMS紅外光CHK5010-99F是一款革命性的4W氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)，可為各種射頻功率應用提供多功能寬帶解決方案。該產品在SiC襯底上采用GaNHEMT技術制造，確保了優異的性能和可靠性。

結晶管以裸晶片方式提高，要有對外部配對電源線路就要充分的樹立其有發展潛力。當然，正值這制定優勢傳遞了CHK5010-99F豐富多樣的能力和比較廣泛的軟件應用有發展潛力。注意優勢包含其出彩的網絡帶寬本事，蘋果支持高達獨角獸12 GHz的電脈沖和連著波進行操作。由于GaN技巧，該設定可達到高輸入和高PAEDC偏置，在Vo=30V @lp_o=50mA時達到絕佳能。不僅如此，該集合塊存在0.90x0.80x0.1mm的緊密面積，雖然在受限制的服務器中也能方便集合。除去其非凡的特點，CHK5010-99F還適用RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006標準單位，保證節能減排和人身安全。這讓手機用戶在選取和施用護膚品時無憂，而不比放心不下對自然環境的有害不良影響。自始至終，CHK5010-99F是一個款最該相信的高安全功能GaN晶狀體管，有多的應用區域和出彩的系統。其最讓人的印象記憶猶新的安全功能和契合這個行業規范標準使其作為微波射頻電率應用區域的穩定會選擇，為該區域確立了新的可能。

Symbol	Parameter	Min	Typ	Max	Unit
Gss	Small Signal Gain		21.6		dB
PsAT	Saturated Output Power		36		dBm
PAE	Max Power Added Efficiency		72		dB
GPAE_MAX	Associated Gain at Max PAE		14		dB

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