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CREE的CMPA2735030是種基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的片式微波射頻集成型電路系統 (MMIC)。與硅或砷化鎵相比較較，GaN兼備相對優質的功效；屬于更好的電壓擊穿場強；更好的飽合電子廠漂移速率和更好的導電因子。與Si和GaAs硫化鋅管相對來說較，GaN HEMT還給出了更為重要的電率導熱系數和更寬的上行速率。CMPA2735030例如有級電抗配適額定功率放小器設計構思難點，可建立和寬的服務器帶寬。

表現形式

穩定端電壓萬代高達 50 V

高損壞場強

厚度為 5mm x 5mm；QFN 二極管封裝

耐高溫度選擇

軟件各個領域

軍用型和軍工企業用輸入脈沖汽車雷達電功率調小器

產品的金橋銅業跨接線的截面積大小

描訴：30 W、2.7 - 3.5 GHz、50 V、GaN MMIC 工率拖動器

至少速度(MHz)：2700

較高工作頻率(MHz)：3500

最高的人值讀取電功率(W)：30

收獲值(dB：)30.0

工作的成功率（％）：45

額定交流電壓(V)：50

內容：離散裸單片機芯片

封口種類：Die

水平：GaN-on-SiC

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