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CREE的CMPA1D1E030D是款增碳硅單晶體上不同氮化鎵 (GaN) 高網上遷徙率納米線管 (HEMT) 的片式微波射頻結合電路設計 (MMIC)；CMPA1D1E030D應用0.25μm柵極尺碼加工制作工藝 技術水平。與硅差距較，GaN-on-SiC兼備變得更加優等的耐磨性；砷化鎵或硅基氮化鎵；蘊含更強的擊穿電壓場強；更強的過飽和電子器材漂移成功率和更強的傳熱指數。

結構特征

27 dB 小警報增益值值

30 W 關鍵 PSAT

工作中直流電壓高至 40 V

高電壓擊穿場強

溫度高度控制車

選用方面

通訊網絡衛星通訊網絡上行帶寬外鏈

廠品金橋銅業跨接線的截面積大小

描敘：30瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；GaN MMIC 電率調小器

最便宜的頻率(MHz)：13750

最大聲音頻率(MHz)：14500

上限值轉換工率(W)：30

增益值值(dB)：26.0

的效率（％）：25

運轉電流電壓(V)：40

的形式：MMIC 裸片

封裝形式品目：Die

系統：GaN-on-SiC

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