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CREE的CMPA1D1E025F是款增碳硅單晶體上據氮化鎵 (GaN) 高微電子轉入率晶胞管 (HEMT) 的單面微波通信融合三極管 (MMIC)；選則 0.25 μm 柵極圖片尺寸開發工藝設計。與硅比起較，GaN-on-SiC有著越來越不錯的機械性能；砷化鎵或硅基氮化鎵；涉及越高的擊穿電壓場強；越高的過剩電子器件漂移速率和越高的傳熱性因子。CMPA1D1E025 使用的 10 絞線；25 mm x 9.9 mm；彩石/陶瓷圖片卡箍盤封口可能保證最理想型的電系統和熱維持性。

特征英文

24 dB 小警報增益值值

40 W 關鍵激光脈沖表現 PSAT

額定功率電流值高至 40 V

OQPSK 下 20 W 曲線公率

A/B類高增益控制；極有率率 50 Ω MMIC Ku 頻繁段高工作效率圖像運放電路

應用的領域

航天軍工用和商用廚房 Ku k線雷達天線

產品設備外形尺寸

形容：25瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；Ku 光波 GaN MMIC 功效增加器

最少速率(MHz)：13500

最多率(MHz)：14500

最高的值讀取公率(W)：25

收獲值(dB)：26.0

操作熱效率（％）：16

載荷系數電壓值(V)：40

內型：二極管封裝的MMIC

裝封種類：活套法蘭盤

技術水平：GaN-on-SiC

東莞市立維創展科持不足機構許可經銷商CREE微波加熱電子元件，若是需求購CREE產品的，請點一下左側客服在線找話題各位！！！