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CMPA1C1D060D是款氧化硅單晶硅上表明氮化鎵 (GaN) 高自動化滲透率多晶體管 (HEMT) 的單支徽波集合集成運放 (MMIC)；CMPA1C1D060D應用軟件0.25 μm柵極尺寸大小加工加工工藝。與硅相比較較，GaN-on-SiC具有著更多非常好的的功效；砷化鎵或硅基氮化鎵；包含了越來越高的熱擊穿場強；越來越高的飽合網上漂移速率和越來越高的傳熱性比率。

優點

遵循 26 dB 小移動信號增益值值

60 W 類型 PSAT

功率電流值高至 40 V

高電壓擊穿場強

高溫天氣度控制車

APP各個領域

PTP wifi微波通信

衛星影像無線通訊上漲鏈

食品樣式

闡述：60瓦；12.7 至 13.25 GHz；40V；GaN MMIC 輸出變小器

最少規律(MHz)：12700

最高的人速度(MHz)：13250

最高的人值輸送電率(W)：65

收獲值(dB)：26.0

生產率（％）：30

額定功率電流電壓(V)：40

方法：MMIC 裸片

封裝形式類目：Die

技術APPAPP：GaN-on-SiC