欧美一二区-欧美亚洲一区-欧美激情一区-欧洲一区二区

CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵相比較，GaN具有更加優異的性能；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷法蘭盤封裝形式，能夠實現最好電力設備和熱穩定性。

有特點

7.9–8.4GHz工作上

80WPOUT（舉例值）

>13dB馬力增加收益值

33%非常典型線性網絡PAE

50Ω內部結構如何搭配

<0.1dB電功率削減

采用范圍

衛星影像網絡通信

地面的寬帶網

商品產品規格

描素：50瓦；7.9-9.6GHz；50Ω；輸出/的輸出配合GaNHEMT

評均的頻率(MHz)：7900

比較高頻率(MHz)：8400

最大值輸出瓦數(W)：50

增加收益值(dB)：13.0

錯誤率（％）：33

額定直流電壓(V)：40

風格：芯片封裝風格分立納米線管

芯片封裝行式行業類別：卡箍盤

能力運用：GaN-on-SiC