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CGHV50200F是種專程構思用在高效化氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）；高增益和寬帶寬性能；從而使得CGHV50200F成為了對流層光學散射通訊的最佳選擇；4.4-5.0GHzC頻率段衛星通訊應用與超低空。CGHV50200F選用陶瓷/金屬法蘭封裝形式。

特色

4.4–5.0GHz工作中

180W常考PSAT

11.5dB比較普遍電率增益控制值

48%普通交流電源錯誤率

50Ω內部組織更換

適用方面

衛星信號通信

凌駕光線——BLOS

對流傳熱層光學反應散射通信技術

品牌規格型號

描術：200瓦；4400-5000MHz；50Ω發送/輸出的更換；氮化鎵高網上遷出率結晶管

至少幀率(MHz)：4400

最底頻帶寬度(MHz)：5000

最高的人值輸送功效(W)：200

增益值值(dB)：11.5

崗位轉化率（％）：33

額定的電流(V)：40

風格：封裝類型風格分立晶狀體管

裝封型:蝶閥法蘭盤

科技應該用：GaN-on-SiC