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2-18 GHz（S，C，X，Ku波段）5位數字衰減器

CMD279C3都是款正的控制，移動寬帶GaAs MMIC 5四位數字衰減器，適用無引腳3x3 mm面上貼裝裝封。衰減器的每次位由0 V或+ 5V的單獨的電壓有效控制。衰減器位數值0.5（LSB），1,2,4和8 dB，總衰減為15.5 dB。CMD279C3在9 GHz時具備著3.5的低加上耗損，衰減準確度基本上為0.2 dB步進電機控制粗差。CMD279C3采用了50歐姆連接設計制作，不能自己RF接口連接。

品牌	型號	貨期
Custom mmic	CMD279C3	3-4周

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的特點

• 寬帶網能力
• 放衰減低
• 衰減範圍寬
• 具有無鉛RoHs標淮的3x3 QFN打包封裝

因素	典型的
概率（GHz）	2 - 18
比特數	五
插。消耗的資金（dB）	3.5
吸納范圍之內（dB）	15.5
鍵入P0.1dB（dBm）	27
進入IP3（dBm）	42
步誤差率（dB）	0.2
的控制端電壓（V）	0 / +5

CUSTOM MMIC于GaAs系統定制的的概念制作個人定制和的標準面上貼裝（SMT）裝封和裸片融合式RF /徽波加熱衰減器，以夠滿足幾種高效果定制的的概念制作的實際需求。借助的電流電壓可變氣門正時氣門正時衰減和寬度帶效果，以下融合衰減器可體現可以達到40 GHz（K波長）的放耗率。以下RF /徽波加熱MMIC于50歐姆配對定制的的概念制作，不需端口處配對，全部鈍化和防濕保障，因而增長了耐用性。處理器圖片尺寸小至2x2mm。于K和Ka波長定制的的概念制作的的電流電壓可變氣門正時氣門正時衰減器MMIC。

CUSTOM MMIC規劃設汁和標準規定單單從表面貼裝（SMT）封裝類型和裸片形勢的吸附式RF /微波射頻射頻衰減器，分為GaAs技術性，以符合高功效規劃的供給。依靠加數1化的控制衰減和加寬帶功效，這么多加數1化衰減器可推動高達到40 GHz（K頻譜）的導入耗損。這么多RF /微波射頻射頻MMIC分為50歐姆輸入規劃，不能不表層輸入，壓根鈍化和防霉養護，可以升高了穩定性。 用來L，S，C，X，Ku，K和Ka頻譜規劃的加數1化衰減器MMIC