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CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高光電轉至率單晶體管(HEMT)。配備前所并未的鍵入，就能夠在DC-2.0GHz標準當中給出好的的瞬時移動寬帶耐腐蝕性。與硅或砷化鎵相對比較，CGHV40180涉及到越來越優質的耐熱性；涉及到高的的的擊穿電壓場強；高的的的供大于求光學漂移訪問速率高的的的傳熱性因子。與Si和GaAs結晶體管比較較，CGHV40180還提拱比較高的功效高密度和更寬的傳輸速率。CGHV40180使用2電纜金屬材質/瓷器卡箍盤和藥丸式打包封裝，會完成建議電力電氣和熱比較穩定性能分析。

表現形式

顯示不配適

180W(CW)評均工作電壓

250W基本特征額定功率

24dB典型的小電磁波收獲值

28V和50V采用

利用研究方向

聲納監測

醫疔調理

帶寬縮放器

信息的安全VHF-UHF

國防安全美國軍事網絡通訊設施設備

好產品規格

分析：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高智能轉至率多晶體管

至少速率(MHz)：0

更高頻次(MHz)：2000

最快值所在工作功率(W)：200

增益值值(聲音頻率)：24.0

率（％）：70

特殊電流(V)：27

形式：二極管封裝分立氯化鈉晶體管

裝封類屬：法蘭盤盤、丸狀

技術工藝應用領域：GaN-on-SiC