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CREE的CGHV96130F是氫氟酸處理硅(SiC)板材上的氮化鎵(GaN)高轉化率單晶體管(HEMT)與別的技術性不同之處，CGHV96130F內部結構適合(IM)FET體現了很棒的輸出功率額外速率。與砷化鎵相對，GaN具備更穩的耐磨性；還有比較高的熱擊穿場強；比較高的飽和點光電漂移轉速和比較高的熱導率。與GaAs晶胞管相對來說，GaN HEMT還具備有更快的工作功率體積密度和更寬的速率。CGHV96130F施用金屬制/瓷器法蘭片二極管封裝不錯體現更優的電氣開關和熱穩定可靠性。

特性

166WPOUT（類型值）

7.5dB輸出增益控制值

42%先進典型PAE

50Ω里面替換

<0.3dB馬力下跌

品牌產品規格

講述：130瓦；8.4-9.6GHz；50Ω；注意使用X股票波段統計使用的顯示/輸送匹配GaNHEMT

比較小的頻率(MHz)：8400

最多速率(MHz)：9600

極高值模擬輸出馬力(W)：130

熱效率（％）：42

額定的相電壓(V)：40